Электронные полупроводниковые приборы, страница 14

В настоящее время используются два типа маркировок. Первый тип маркировки был разработан в 1964 г. и осуществлялся в соответствии с требованиями ГОСТ 10 862–64. Маркировка состоит из четырёх элементов:

1^ый элемент – буква М, обозначающая, что корпус транзистора унифицированный (относится к единой, наиболее распространённой форме);

2^ой элемент – буква П, обозначающая, что p–n переходы транзистора имеют плоскостную конструкцию;

3^ий элемент – число от однозначного до трёхзначного (1÷800), обозначающее вид применённого в транзисторе полупроводника (кремний, германий), допустимые ток, напряжение, частота и другие электрические параметры, информация о которых находится или в техническом паспорте или в справочнике по полупроводниковым приборам;

4^ый элемент – буква русского алфавита (А÷Я), обозначающих отличие некоторых электрических параметров (допустимый ток коллектора, предельная частота и др.) при одинаковых других параметрах.

Например транзистор МП 16А имеет меньший коэффициент передачи по току, чем транзистор МП 16Б, а остальные параметры у них одинаковы.

При использовании не унифицированного корпуса буква М отсутствует. Например, П 401 А. Не унифицированные корпуса больше не используются для изготовления мощных транзисторов.

В 1972 г. была введена новая маркировка транзисторов, которая выполняется в соответствии с ГОСТ 10 862 – 72 и позднее была скорректирована документом ОСТ 11 336.919 – 81. В соответствии с этими документами современная маркировка транзисторов состоит из пяти элементов:

 1^ый элемент – буква или цифра, обозначающие тип полупроводникового материала:

Г или 1 – германий,

К или 2 – кремний,

А или 3 – арсенид галия,

И или 4 – соединение индия.

Буква используется тогда, когда транзистор может работать при нагреве до 75°С. Число используется тогда, когда транзистор может работать при нагреве до 120°С.

2^ой элемент – буква, обозначающая тип транзистора:

Т – биполярный,

П – полевой.

3^ий элемент – цифра, указывающая область частот и мощностей, допустимых для транзистора, и их назначения указаны в таблице 3.

Таблица 3 – Назначения областей частот и мощностей транзистора

Частота Мощность	Низкие частоты	Средние частоты	Высокие     частоты
Малая мощность	1	2	3
Средняя мощность	4	5	6
Большая мощность	7	8	9

4^ый элемент – число двух или трёхзначное, отображающее электрические параметры, такие как рабочий и предельные значения тока и напряжения, конкретное значение частоты, мощности и других параметров транзистора.

5^ый элемент – буква (А÷Я), показывающее отличие от аналогичного транзистора, но с другим значением, например, коэффициента передачи по току.

Например, транзистор 2Т803А – кремневый, биполярный, может работать при повышенной температуре, мощный, среднечастотный.

3.2 Биполярные транзисторы