Электронные полупроводниковые приборы, страница 24

Рисунок –  3.18 Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с

      общей базой, без генератора тока (а) и с генератором тока (б)

 При изучении свойств p-n перехода и принципа действия транзистора было установлено, что каждый из p-n переходов обладает определённым омическим сопротивлением. Омическое сопротивление эмиттерного перехода обозначается через .

Как известно, одно из условий функционирования транзистора состоит в том, чтобы эмиттерный переход был под прямым напряжением. В этом случае отсутствует запирающий слой в p-n переходе, а значит сопротивление его мало. Поэтому величина  мала и составляет от единиц до десяток Ом. Так же известно, что p-n переход характеризуется барьерной ёмкостью. Барьерная ёмкость эмиттерного перехода обозначается через и  в эквивалентной схеме подключается параллельно .

Сопротивление коллекторного перехода обозначаются через . Известно, что коллекторный переход находится под обратным напряжением, что создает запирающий слой, обладающий большим омическим сопротивлением. Поэтому величина  коллекторного сопротивления велика и составляет сотни тысяч Ом (сотни кОм). Барьерная ёмкость коллекторного перехода обозначается через   и в эквивалентной схеме подключена параллельно . Величина барьерной ёмкости достаточно велика и составляет сотни пикофарад. Представленная на рисунок 3.18,а эквивалентная схема является пассивным четырёхполюсником и усилительными свойствами, как транзистор, обладать не может. Для того, чтобы эквивалентная схема обладала усилительными свойствами в неё вводится генератор тока (рисунок 3.18,б). Ток, создаваемый генератором тока, равен произведению коэффициента усиления транзистора, включенного по схеме с общей базой, на величину тока эмиттера, что равно току коллектора:

Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером без генератора тока представлена на рисунке 3.19,а. Назначение элементов ()

                                            

Рисунок –  3.19 Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общей

базой, без генератора тока (а) и с генератором тока (б)

такое же, как и в схеме с общей базой. Однако, как было сказано, транзистор обладает усилительными свойствами, поэтому эквивалентная схема дополняется генератором тока (рисунок 3.19,б). Ток, создаваемый генератором тока, равен произведению коэффициента усиления транзистора, включенного по схеме с О.Э., на величину тока базы, что равно коллекторному току:

3.2.7  Параметры биполярного транзистора.

Все параметры биполярного транзистора подразделяются на первичные, вторичные и электрические.

Первичные параметры характеризуют связь между постоянными составляющими тока и напряжения в транзисторе. К ним относятся резистивные элементы схемы замещения транзистора 

Вторичные параметры характеризуют связь между переменными составляющими токов и напряжений на входе и выходе транзистора. В этом случае транзистор рассматривается как четырёхполюсник и для оценки его свойств используется система уравнений формы Н. В области частот до сверхвысокочастотного диапазона вторичные параметры обозначаются через малые h. Тогда система уравнений формы h в приращениях принимает вид: