Разработка технологической инструкции на изготовление генератора в виде гибридной интегральной микросхемы

Страницы работы

Содержание работы

Задание

Разработать технологическую инструкцию на изготовление генератора в виде

гис.

Исходные данные

Подложка: ситалл ST50-1

Слой1: резисторы второй группы, кермет К50-С, p=10000 Ом/. (тоже)

Слой 2: нижние обкладки конденсаторов, Cr, A1, р=50Ом/

(200 Ом, 0,1 мкм)

. Слой 3: диэлектрик, SiO2, p=20000  Ом/.(0,5 мкм)

 Слой 4: резисторы первой группы, p=300 Ом/, SiO2, p=20000 (100 Ом)

верхние обкладки конденсаторов(200 Ом 0,05 мкм), проводники и контактные площадки Сг-Al-Ni,

р=50 Ом/.

Слой 5: защитный слой, фоторезист негативный ФН-108.(тоже)

Устройство выполнено на ситалловой подложке (ситалл ST50-1).

Чертежи:     Топологический чертёж КГТУ 5.032.001; Сборочный чертёж КГТУ 5.032.002 СБ.


Технологический процесс

1.  Входной контроль подложек.

2.  Подготовка поверхности (очистка поверхности).

3.  Изготовление слоя резисторов второй группы.

3.1  Напыление слоя кермета К50-С ρ=10000 Ом/.

3.2  Фотолитография.

3.3  Травление.

3.4  Контроль 

3.5  Межоперационная очистка.

4.       Изготовление слоя нижних обкладок конденсатора.

4.1  Напыление слоя хром – алюминий.

4.2  Фотолитография.

4.3  Травление.

4.4  Контроль

4.5  Межоперационная очистка.

5.       Изготовление слоя диэлектрического слоя.

5.1.  Изготовление обратной фоторезистивной маски.

5.2.  Напыление слоя SiO2.

5.3.  Травление обратной маски.

5.4     Контроль

5.5    Межоперационная очистка.

 6.    Изготовление слоя резисторов первой группы, проводников, верхних обкладок конденсаторов.

6.1  Изготовление слоя нихром (ρ=300 Ом/)

6.2  Фотолитография, травление №1.

6.3  Фотолитография, травление №2.

6.4  Контроль

6.5  Межоперационная очистка.

7.       Изготовление защитного слоя.

 8.       Контроль параметров пленочных элементов (подстройка).

 9.  Монтажно-сборочные операции.

10.1.  Резка пластин на модули.

10.2.  Установка подложки в корпус.


1.    Входной контроль подложек

-взять подложку пинцетом за край, поместить на столик микроскопа МБС-10 (увеличение 300 раз);

-провести визуальный контроль на наличие дефектов (пятен, сколов, трещин, царапин);

-отбраковать подложки имеющие дефект;

-подложки, прошедшие визуальный контроль, поместить в тару для хранения подложек

-провести контроль всех подложек из партии:

Оборудование: микроскоп ВМС - 9 ТУЗ.-3201-79 Инструмент: пинцет МП500-60.

Оснастка: Тара для хранения и транспортировки подложек УЭ 7878-29, УЭ 7878-30, УЭ 7878-31. Материалы: спирт ГОСТ 18300-72, батист ГОСТ 8474-72.


2. Очистка поверхности подложек (обезжириванье)

-поместить подложку в стакан с этиловым спиртом;

-кипятить в течении пяти минут;

-сушить в парах спирта в течении 2-3 минут;

-подложки поместить в кассету;

-кассету с подложками поместить в стакан с моющим раствором (CrO3:HNO3 насыщенный раствор)

-поместить стакан на мешалку и чистить в течение одного часа;

-вынуть кассету с подложками из моющего раствора и поместить ее в ста­кан с чистой дистиллированной водой;

-промывать каждую подложку проточной дистиллированной водой в те­чение одной минуты;

-подложки поместить в термостат;

-сушить при температуре 120°С до исчезновения следов влаги;

-каждую подложку проверять визуально;

-одну подложку из партии проверить на смачиваемость;

-поместить подложки в тару для хранения и транспортировки чистых подло­жек.

Оборудование: вытяжной шкаф ШНЖ - ТУ 95.7028-73, дистиллятор Д-4, магнитная мешалка, установка   сушки   и   дубления   фоторезиста УСДФ-1

Инструмент: пинцет МП500-60.

Оснастка: ванна для CMC УЭ7893-4380, химическая посуда ГОСТ 9147-73, кассеты для отмывки подложек УЭ 7893-4412, тара для транспортировки и хранения чистых подложек УЭ7893-4412-01, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73.

Материалы: вата ГОСТ 10447-75, фильтры УЭ7887-4105, напаличники ГОСТ 1481-69, CMC, хромовый ангидрид (СгО3) ГОСТ 3776-68, концентриро­ванная HNO3 ГОСТ 4461-62, дистиллированная вода ГОСТ 3424-62, перчатки ре­зиновые - ГОСТ 3-75, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-72.


3. Изготовление резисторов второй группы

3.1 Напыление кермета К50-С ρ=10000.

-  включить вакуумную установку в соответствии с инструкцией по её эксплуа-­
тации.

-  подготовить вакуумную камеру к напылению в соответствии с УЭ.25200.00121.

-  установить испаритель на токоотводы в вакуумную камеру пользуясь плос-­
когубцами, ключом и отверткой.

-  засыпать резистивный сплав К50-С в корпус вибропитателя примерно на
2/3 его объема.

-  подготовить подложкодержатель и контрольный образец — "Свидетель" к
установке в вакуумную камеру в следующем порядке:

а) протереть подложкодержатель батистом-мерсиризованным, смоченным
спиртом и уложить их на столе.

б) достать пинцетом контрольный образец из бокса для хранения и транс­портировки подложек.

-установить и закрепить подложки в подложкодержатель пользуясь пинцетом.

-  проверить цепь контрольного образца-свидетеля на отсутствие обрывов и ко­ротких замыканий.

-  проверить работу заслонки. Заслонка должна свободно открываться и закры­ваться.

-  опустить колпак. Произвести откачку воздуха из камеры до давления 10-5-10-6
по термопарному вакуумметру.

-  включить нагрев подложек. Установить ток накала нагревателя, обеспечи­вающий нагрев подложек до температуры 200±10°С.

-  определить сопротивление, которое необходимо напылить по формуле R=p0n,
где р0-удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки, n-число квад­ратов. R=10000*4=40000 Ом.

-  включить питание испарителя. Установить ток через испаритель 150±30А и
отжечь испаритель в течение 5 минут.

-  открыть заслонку.

-  произвести напыление резистивной пленки, контролируя изменение сопро­тивления по "свидетелю". В процессе напыления следить, чтобы на
испарителе не образовывалась горка резистивного сплава.

-  продолжать нагрев подложки в течении 10 мин.,

-  закрыть заслонку

-  выключить нагрев, студить подколпачное устройство до Т=80°С (при откачке на высокий вакуум).

-  студить подколпачное устройство до Т=50°С на подложке, закрыть затвор,
разгерметизировать колпак.

- поднять колпак, вынуть подложки, уложить их в тару,

- проверить адгезию напыленного слоя

- измерить удельное поверхностное сопротивление напыленных пленок

- опустить колпак, откачать воздух из камеры до давления 15-20 делений по
термопарному вакуумметру и выключить установку согласно инструкции по её эксплуатации


-Оборудование: установка вакуумно-термического напыления УВН-2М-1

УРМЗ.279.017.

-Инструмент: пинцет МП 500-60, отвертка ГОСТ 17199-71, ключи.

-Оснастка: тара для хранения и транспортировки УЭ 7878-29,УЭ 7878-30, УЭ

-7878-31.

-Материалы: спирт этиловый ГОСТ 18300-72, вата ГОСТ 10477-75, перчатки резиновые ГОСТ 3-53.


3.2 Фотолитография

Похожие материалы

Информация о работе