Информатика и выч. техника \ Конструирование и технология микросхем

Разработка технологической инструкции на изготовление генератора в виде гибридной интегральной микросхемы, страница 3

-  выключить все источники питания напылительного блока;

-  остудить подколпачное устройство до Т = 80°С (при откачке на высокий ва­куум);

-  закрыть затвор, разгерметизировать колпак;

-  вынуть подложку, поместить её в кассету

Оборудование: установка вакуумно-термического напыления УВН-2М-1 УРМЗ.279.017,

микроскоп МБС-9 ТУЗ.-3201-79.

Инструмент: пинцет МП 500-60,

отвертка ГОСТ 17199-71.

Оснастка: тара для хранения и транспортировки УЭ 7878-29,УЭ 7878-30, УЭ 7878-31.

Материалы: спирт этиловый ГОСТ 18300-72, вата ГОСТ 10477-75, перчатки резиновые ГОСТ 3-53.

4.2. Фотолитография нижних обкладок конденсаторов:

-установить скорость центрифуги 2000 об/мин. Время вращения одна минута. Согласно инструкции по эксплуатации ДЕМЗ.281.001 ТО;

-  поместить подложку на столик центрифуги;

-  включить вакуумный прижим;

-  нанести каплю фоторезиста ФП-9120-1 на подложку;

-  включить вращение центрифуги;

-  поместить пластину в сушильную камеру (Т=90°С, время 15 мин.);

-  поместить пластину на столик установки совмещения экспонирования;

-  произвести установку фотошаблона в шаблонодержатель согласно с инструкцией по эксплуатации;

-  произвести совмещение изображения фотошаблона с подложкой согласно с
инструкцией по эксплуатации;

-  произвести экспонирование рисунка фотошаблона на подложку (время экспонирования 120 сек.);

-  поместить пластину в посуду с проявителем (состав проявителя: 2%-й рас­твор N3PO4 в дистиллированной воде);

-  проявлять втечении времени, необходимого для проявления, но не более 3
мин.;

-  контролировать качество проявления визуально под микроскопом МБС-9. В
случае необходимости произвести ретушь или до проявление;

-  поместить пластину в термостат, дубить в течение 5 мин при Т=120°С;

4.3. Травление нижних обкладок конденсаторов:

-  поместить подложку в посуду с раствором травителя (Н3РО4:Н2О в пропор­ции 3:2);

-  травить до полного удаления Аl с незакрытой фоторезистом поверхности;

-  промыть дистиллированной водой;

-  поместить подложку в посуду с раствором травителя (НС1 при t=55°С);

-  травить до полного удаления Сr с незакрытой фоторезистом поверхности, пользуясь цинковой присадкой;

-  промыть дистиллированной водой;

-  поместить в сушильную камеру (Т=90°С, время 15 мин.);

      -контролировать качество травления визуально под микроскопом МБС-9. При необходимости произвести повторное травление;

        -удалить фоторезистивную маску в диоксане;

-  промыть дистиллированной водой в течение 1 мин.;

-  сушить подложку на центрифуге в течении 2 минут;

-  контролировать качество удаления фоторезиста визуально под микроскопом
МБС-9;

-  при необходимости повторить операцию удаления фоторезиста;

-  произвести контроль качества слоя нижних обкладок
конденсаторов;

-  поместить подложки в тару для хранения и транспортировки;

Оборудование: полуавтомат по нанесению фоторезиста лЕМЗ.281.001 .ТО, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ - 1 дЕМ3.023.002.И, установка совмещения и экспонирования ЭМ - 526 Я2М2.252.005.ФО, вытяжной шкаф 2ШНЖ ТУ.95.7028-73, дистиллятор Д - 4 ТУ 13815, микроскоп МБС - 9 ТУЗ.-3201-79, электрическая плитка ГОСТ 14919-83

Инструмент: пинцет МП 500-60, секундомер С - 1 - 2а ГОСТ 5072 - 72.

Оснастка: химическая посуда ГОСТ 7148-70, ванны для травления УЭ 7893-4380, кассеты фторопластовые для подложек УЭ 7893-4412-02, пипетка для фото­резиста ГОСТ 9876-73, эксикатор ГОСТ 6371-73, тара для хранения и транспортировки УЭ 7878-29, УЭ 7878-30, УЭ 7878-31, фотошаблон № 1.

Материалы: фоторезист ФП9120 - 1 ТУ6 - 36 - 00210134 - 121 - 0 - 96, спирт этиловый ГОСТ 18300 - 72, диоксан ГОСТ 10455-75, HNO3 4461 - 67, HF ГОСТ Ю484 - 73, дистиллированная вода ГОСТ9709-72, Na3PO4 ГОСТ 4328-77, вата ГОСТ 10477-75, фильтры бумажные ТУ 9-09-1678-72, перчатки резиновые ГОСТ 3-53.

4.4 Контроль

-  контролировать качество каждой подложки под микроскопом
МБС - 9;

-  отбраковать подложки с дефектами.

Оборудование: микроскоп МБС - 9. Инструмент: пинцет МН500-60.

4.5 Межоперационная очистка

-   поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить втечении 5 мин;

-  сушить подложку в парах спирта в течении 2-3 мин;

-  поместить подложки в тару для хранения и транспортировки.

Инструмент: пинцет МН500-60.

Оснастка: кассеты фторопластовые для подложек УЭ 7893-4412, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73, тара для хранения и транспортировки УЭ78934412-01.

Материалы: спирт этиловый ГОСТ 10157-73, перчатки резиновые ГОСТ 3-75, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-72.


5. Изготовление диэлектрического слоя

5.1. Изготовление обратной фоторезистивной маски

           - поместить пластину на столик центрифуги.

           - Нанести фоторезист ФП-9120, включить вакуумный прижим, включить центрифугу (скорость вращения центрифуги 1500 об/мин, время вращения 1 мин).

           - сушить фоторезистивную пленку в термостате при температуре 90 °С в течении 15 мин.

           - совместить пластину с фотошаблоном.

           - экспонировать в течение 1 мин.

           - проявлять в растворе 2% НзРО4 до полного проявления, но не более 3 мин.

           - смывать проточной дистиллированной водой;

           - проверить качество проявления под микроскопом, в случае необходимости допроявить.

          - поместить пластину на столик установки совмещения и экспонирования ЭМ-526;

          - произвести установку фотошаблона  в шаблонодержатель согласно с инструкцией по эксплуатации;

     - произвести совмещение изображения фотошаблона  с подложкой согласно с инструкцией по эксплуатации;

          - произвести экспонирование рисунка фотошаблона  на подложку (время
экспонирования - 120 сек.);

Скачать файл