Информатика и выч. техника \ Конструирование и технология микросхем

Разработка технологической инструкции на изготовление генератора в виде гибридной интегральной микросхемы, страница 8

-  закрыть затвор, разгерметизировать колпак, поднять колпак.

-  установить свидетель;

-  поместить навеску испаряемого материала на соответствующий испаритель;

-  поместить подложку в подложкодержатель

-откачать рабочую камеру до давления 5*10-3 мм.рт.ст., включить кварцевый нагреватель, нагреть камеру до t = 200°С и подготовить к напылению согласно инструкции по эксплуатации;

-  подать ток на молибденовый испаритель, открыть заслонку, толщину слоя Сг
отслеживаем по свидетелю, при достижении требуемого сопротивления закрыть
заслонку;

-  передвинуть карусель с испарителем на следующую позицию;

-  подать на вольфрамовый испаритель ток, открыть заслонку


-  передвинуть карусель с испарителем на следующую позицию;

-  подать на вольфрамовый испаритель ток, открыть заслонку,
напылять А1 в течение 1 минуты, закрыть заслонку;

-  выключить все источники питания напылительного блока;

-  остудить подколпачное устройство до Т = 80°С (при откачке на высокий ва­куум);

-  закрыть затвор, разгерметизировать колпак;

-  вынуть подложку, поместить её в кассету

Оборудование: установка вакуумно-термического напыления УВН-2М-1 УРМЗ.279.017,

микроскоп МБС-9 ТУЗ.-3201-79.

Инструмент: пинцет МП 500-60,

отвертка ГОСТ 17199-71.

Оснастка: тара для хранения и транспортировки УЭ 7878-29,УЭ 7878-30, УЭ 7878-31.

Материалы: спирт этиловый ГОСТ 18300-72, вата ГОСТ 10477-75, перчатки резиновые ГОСТ 3-53.

6.2. Фотолитография нижних обкладок конденсаторов:

-установить скорость центрифуги 2500 об/мин. Время вращения одна минута. Согласно инструкции по эксплуатации ДЕМЗ.281.001 ТО;

-  поместить подложку на столик центрифуги;

-  включить вакуумный прижим;

-  нанести каплю фоторезиста ФП-9120-1 на подложку;

-  включить вращение центрифуги;

-  поместить пластину в сушильную камеру (Т=90°С, время 15 мин.);

-  поместить пластину на столик установки совмещения экспонирования;

-  произвести установку фотошаблона в шаблонодержатель согласно с инст­
рукцией по эксплуатации;

-  произвести совмещение изображения фотошаблона с подложкой согласно с
инструкцией по эксплуатации;

-  произвести экспонирование рисунка фотошаблона на подложку (время экс­
понирования 120 сек.);

-  поместить пластину в посуду с проявителем (состав проявителя: 2%-й рас­
твор N3PO4 в дистиллированной воде);

-  проявлять в течении времени, необходимого для проявления, но не более 3
мин.;

-  контролировать качество проявления визуально под микроскопом МБС-9. В
случае необходимости произвести ретушь или до проявление;

-  поместить пластину в термостат, дубить в течение 5 мин при Т=120°С;

6.3. Травление нижних обкладок конденсаторов:

-  поместить подложку в посуду с раствором травителя (НзРО4:Н2О в пропор­
ции 6:4);

-  травить до полного удаления А1 с незакрытой фоторезистом


поверхности;

-  промыть дистиллированной водой;

-  поместить подложку в посуду с раствором травителя (НС1 при t =
55°С);

-  травить до полного удаления Сг с незакрытой фоторезистом
поверхности, пользуясь цинковой присадкой

-  промыть дистиллированной водой;

-  поместить в сушильную камеру (Т=90°С, время 15 мин.); -Контролировать
качество травления визуально под микроскопом

МБС-9. При необходимости произвести повторное травление; -удалить фоторезистивную маску в диоксане;

-  промыть дистиллированной водой в течение 1 мин.;

-  сушить подложку на центрифуге в течении 2 минут;

-  контролировать качество удаления фоторезиста визуально под микроскопом
МБС-9;

-  при необходимости повторить операцию удаления фоторезиста;

-  произвести контроль качества слоя нижних обкладок
конденсаторов;

-  поместить подложки в тару для хранения и транспортировки;

6.4. Контроль и межоперационная очистка

-  кипячение в спирте в течении 5 минут;

-  сушка в парах спирта в течении 2-3 минут;

-  контролировать качество промывки каждой подложки под микроскопом
МБС - 9;

-  поместить подложки в тару для хранения и транспортировки.

Оборудование: полуавтомат по нанесению фоторезиста лЕМЗ.281.001 .ТО, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ - 1 дЕМ3.023.002.И, установка совмещения и экспонирования ЭМ - 526 Я2М2.252.005.ФО, вытяжной шкаф 2ШНЖ ТУ.95.7028-73, дистиллятор Д - 4 ТУ 13815, микроскоп МБС - 9 ТУЗ.-3201-79, электрическая плитка ГОСТ 14919-83

Инструмент: пинцет МП 500-60, секундомер С - 1 - 2а ГОСТ 5072 - 72.

Оснастка: химическая посуда ГОСТ 7148-70, ванны для травления УЭ 7893-4380, кассеты фторопластовые для подложек УЭ 7893-4412-02, пипетка для фото­резиста ГОСТ 9876-73, эксикатор ГОСТ 6371-73,

тара для хранения и транспортировки УЭ 7878-29, УЭ 7878-30, УЭ 7878-31, фо-тошаблон№ 1.

Материалы: фоторезист ФП9120 - 1 ТУ6 - 36 - 00210134 - 121 - 0 - 96, спирт этиловый ГОСТ 18300 - 72, диоксан ГОСТ 10455-75, HNO3 4461 - 67, HF ГОСТ Ю484 - 73, дистиллированная вода ГОСТ9709-72, Na3PO4 ГОСТ 4328-77, вата ГОСТ 10477-75, фильтры бумажные ТУ 9-09-1678-72, перчатки резиновые ГОСТ 3-53.


7. Изготовление диэлектрического слоя

7.1.    Изготовление обратной фоторезистивной маски.

7.1.1. Напыление слоя меди.

- подготовить подколпачное устройство согласно инструкции по эксплуатации
УРМЗ 279.026 ТО;

-установить испарители по месту: испаритель для слоя (Сu) 6 вольфрамовых проволок;

-  опустить колпак и откачать рабочую камеру до вакуума 10-5 мм рт. ст. согласно инструкции по эксплуатации;

-  произвести отжиг испарителя:

ток на испарителе 600 А, время отжига 2 минуты.

-  студить рабочую камеру при открытом затворе в течении одного часа.

-  закрыть затвор, разгерметизировать колпак, поднять колпак.

-  загрузить навеску металла на соответствующий испаритель.

Скачать файл