Разработка технологической инструкции на изготовление генератора в виде гибридной интегральной микросхемы, страница 5

     Установить свидетель по месту крепления.

     Установить датчик температуры на подложкодержатель.

     Опустить колпак. Произвести откачку воздуха из камеры до давления 20-30 делений по термопарному вакуумметру.

     Включить нагрев подложек. Установить ток накала кварцевого нагревателя, обеспечивающий нагрев подложек до температуры 200±10°С.

     Подать ток на молибденовый испаритель, наблюдать через смотровое окно и в момент, когда нихром раскалится добела открыть заслонку, толщину слоя хрома отслеживаем по свидетелю, при достижении требуемого сопротивления закрыть заслонку.

     Передвинуть карусель с испарителем на следующую позицию.

     Подать на вольфрамовый испаритель ток, открыть заслонку, напылять алюминий в течение 1 минуты, закрыть заслонку.

     Перевести карусель с испарителем на следующую позицию, т.к. никель пылится
взрывом заслонку открыть заранее.

     Выключить все источники питания напылительного блока.

     Продолжать нагрев подложки в течении 10 мин., затем выключить нагрев, студить подколпачное устройство до Т=80 °С (при откачке на высокий вакуум).

     Студить подколпачное устройство до Т=50 °С на подложке, закрыть затвор, разгерметизировать колпак.

     Вынуть подложку, поместить её в специальную тару.

     Опустить колпак, откачать воздух из камеры до давления 15-20 делений по

термопарному вакуумметру и выключить установку согласно инструкции по её эксплуатации.

6.2. Фотолитография № 1, травление Cr-AI-Ni

       Поместить пластину на столик центрифуги.

      Нанести фоторезист ФП-9120, включить вакуумный прижим, включить центрифугу (скорость вращения центрифуги 1500 об/мин, время вращения 1 мин).

       Сушить фоторезистивную пленку в термостате при температуре 90 °С в течении 15 мин.

     Проверить качество проявления под микроскопом, в случае необходимости допроявить.

       Поместить пластину на столик установки совмещения экспонирования;

       Произвести установку фотошаблона №4 в шаблонодержатель согласно с инструкцией по эксплуатации;

     Произвести совмещение изображения фотошаблона  с подложкой согласно с инструкцией по эксплуатации;

     Произвести экспонирование рисунка фотошаблона  на подложку (время
экспонирования 120 сек.);

        Поместить пластину в посуду с проявителем (2% раствор Na₃PO4 в дистиллированной воде);

        Проявлять в течение времени, необходимого для проявления, но не более 3 мин.;

       Промыть проточной дистиллированной водой в течение 1 -2 мин.

       Контролировать качество проявления визуально под микроскопом МБС-9. В случае необходимости произвести ретушь или допроявление;

        Поместить в термостат, дубить в течение 5 мин при t = 120°С;

       Травить до полного удаления Ni с незакрытой фоторезистом поверхности;

       Промыть дистиллированной водой;

       Поместить подложку в посуду с раствором травителя (НзРО₄:Н₂О 3:2);
       Травить до полного удаления А1 с незакрытой фоторезистом поверхности;

       Промыть дистиллированной водой;

       Поместить подложку в посуду с раствором травителя (НС1 с присадкой Zn при t =55°С);

       Травить до полного удаления Сr с незакрытой фоторезистом поверхности;

         Промыть дистиллированной водой;

         Поместить в сушильную камеру (t = 90°С, время 15 мин.);

6.3. Фотолитография № 2, травление AI-Ni

       Поместить пластину на столик центрифуги.

       Нанести фоторезист ФП-9120, включить вакуумный прижим, включить центрифугу (скорость вращения центрифуги 1500 об/мин, время вращения 1 мин).

       Сушить фоторезистивную пленку в термостате при температуре 90 °С в течении 15 мин.

     Проверить качество проявления под микроскопом, в случае необходимости допроявить.

     Поместить пластину на столик установки совмещения экспонирования;

       Произвести установку фотошаблона  в шаблонодержатель согласно с инструкцией по эксплуатации;

       Произвести совмещение изображения фотошаблона  с подложкой согласно с инструкцией по эксплуатации;

       Произвести экспонирование рисунка фотошаблона №5 на подложку (время
экспонирования 120 сек.);

      Поместить пластину в посуду с проявителем (2% раствор Na₃PO4 в дистиллированной воде);

      Проявлять в течение времени, необходимого для проявления, но не более 3 мин.;

      Промыть проточной дистиллированной водой в течение 1 -2 мин.

      Контролировать качество проявления визуально под микроскопом МБС-9. В случае необходимости произвести ретушь или допроявление;

       Поместить в термостат, дубить в течение 5 мин при t = 120°С;

       Поместить подложку в посуду с раствором травителя  в пропорции 3:1;

      Травить до полного удаления Ni с незакрытой фоторезистом поверхности;

      Промыть дистиллированной водой;

      Поместить подложку в посуду с раствором травителя (НзРО₄:Н₂О 6:4);
      Травить до полного удаления А1 с незакрытой фоторезистом поверхности;

       Промыть дистиллированной водой;

          Поместить в сушильную камеру (t = 90°С, время 15 мин.);

6.4.Контроль

Контролировать качество травления визуально под микроскопом МБС-9. При
необходимости произвести повторное травление;

       Удалить фоторезистивную маску в диоксане;

       Промыть дистиллированной водой в течение 1 мин.;

       Сушить подложку на центрифуге;

       Контролировать качество удаления фоторезиста визуально под микроскопом МБС - 9;

        При необходимости повторить операцию удаления фоторезиста;

               Поместить подложки в тару для хранения и транспортировки

6.5. Межоперационная очистка

        Поместить подложку в посуду с этиловым спиртом

        Кипятить в течение 5 минут;

        Сушить в парах спирта;

        Поместить подложки в тару для транспортировки.