- поместить пластину в посуду с проявителем (2% раствор NазРО4 в дистиллированной воде);
- проявлять в течение времени, необходимого для проявления, но не более 3 мин;
- контролировать качество проявления визуально под микроскопом МБС-9. В случае необходимости произвести ретушь или допроявление.
Оборудование: столик ПФН - 1 дЕМ3.281.001.ТО, микроскоп МБС - 9ТУ 3.-3201 -79, УСДФ-1 дЕМ3.023.002И; установка для экспонирования ЭМ - 526 Я2М2.252.005.ФО, дистиллятор Д - 4 ТУ 13815, вытяжной шкаф 2ШНЖ ТУК.95.7028-72УФ-400.
Инструмент: пинцет МН 500-60.
Оснастка: тара для хранения и транспортировки УЭ 7878-29, УЭ 7878-30, УЭ 7878-31, химическая посуда ГОСТ 7148-70.
Материалы: спирт этиловый ГОСТ 18300-72, фоторезист ФП9120-1 ТУ 6-36-00210134-121 -0-96, вата ГОСТ 10477-75, перчатки резиновые ГОСТ 3-53, Na3PO4 ГОСТ 4328-77.
5.2. Напыление слоя моноокиси кремния
- включить вакуумную установку в соответствии с инструкцией по её эксплуатации.
- подготовить вакуумную камеру к напылению в соответствии с УЭ.25200.00121.
- установить испаритель из молибдена.
- проверить работу заслонки. Заслонка должна свободно открываться и закрываться.
- опустить колпак.
- откачать рабочую камеру до давления 10-5 мм рт. Ст.
согласно инструкции по
эксплуатации.
- произвести отжиг испарителя (ток – 280А, в течение 3 мин.)
- студить рабочую камеру в течение 1 часа при открытом затворе.
- закрыть затвор, разгерметизировать, поднять колпак.
- поместить навеску на испаритель.
- поместить подложку в подложкодержатель.
- установить датчик температуры на подложкодержатель.
- опустить колпак. Произвести откачку воздуха из камеры до давления 2,2*10-5 мм рт. Ст. (20-30 делений по термопарному вакуумметру).
- включить нагрев подложек. Установить ток накала
кварцевого нагревателя,
обеспечивающий нагрев
подложек до температуры 200±10°С.
- подать ток 320А на молибденовый испаритель, открыть заслонку, проводить напыление в течение 10 минут, закрыть заслонку.
- выключить все источники питания напылительного блока.
- продолжать нагрев подложки в течении 10 мин., затем выключить нагрев, студить подколпачное устройство до Т=80 °С (при откачке на высокий вакуум).
- студить подколпачное устройство до Т=50 °С на подложке,
закрыть затвор,
разгерметизировать колпак
- вынуть подложку, поместить её в специальную тару.
- опустить колпак, откачать воздух из камеры до давления 15-20 делений по термопарному вакуумметру и выключить установку согласно инструкции по её эксплуатации.
5.3. Травление фоторезистивной маски
- поместить подложку в посуду с диметилформамидом НРТУ 6-09-2068-68;
- травить до полного удаления фоторезистивной маски;
- промыть проточной дистиллированной водой;
- контролировать качество травления визуально под микроскопом МБС-9. – при необходимости произвести повторное травление;
- сушить подложку на центрифуге;
Оборудование: установка для вакуумно-термического напыления УВН - 2М-1 УРМЗ.279.017, полуавтомат по нанесению фоторезиста дЕМ3.281.001.ТО, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-1 дЕМЗ.023002.И, установка совмещения и экспонирования ЭМ-526 Я2М2.252.005ФО, вытяжной шкаф 2ШНЖ ТУ.95.7028-73УФ-400, дистиллятор Д - 4 ТУ 13815, микроскоп МБС - 9 ТУ 3.-3201-79, электрическая плитка ГОСТ 14919-83.
Инструмент: пинцет МН 500-60, секундомер С - 1 - 2а ГОСТ 5072 - 72.
Оснастка: термостойкая химическая посуда для операций проявления фоторезиста и промывки УЭ 7878-4229, фторопластовая ванна для травления УЭ 7893-4380; кассеты фторопластовые для подложек УЭ 7893-4412-02, пипетка для фоторезиста ГОСТ 9876-73, индикатор, тара для хранения и транспортировки УЭ7878-29, УЭ 7878-30, УЭ 7878-31.
Материалы: фоторезист ФП9120-1 ТУ6-36-00210134 - 121-0-96, спирт этиловый ГОСТ 18300 - 72, дистиллированная вода ГОСТ 6709-72; Na3PO4 ГОСТ 4328 -77, Вата ГОСТ 10477-75, фильтры бумажные ТУ 6-09-1678-72, перчатки резиновые ГОСТ 3-53
5.4. Контроль
- контролировать качество удаления фоторезиста визуально под микроскопом МБС-9;
- при необходимости повторить операцию удаления фоторезиста;
- произвести контроль качества диэлектрического слоя;
- поместить подложки в тару для хранения и транспортировки.
5.5. Межоперационная очистка
- поместить подложку в стакан с этиловым спиртом
- кипятить в течение 5 минут;
- сушить в парах спирта;
- поместить подложки в тару для транспортировки.
6. Изготовление проводящего слоя и резистивного слоя 1
6.1. Напыление слоя Сr- Al- Ni
Включить вакуумную установку в соответствии с инструкцией по её эксплуатации.
Подготовить вакуумную камеру к напылению в соответствии с УЭ.25200.00121.
Установить испарители: для первого слоя (хром) — испаритель из молибденовой ленты; для второго слоя (алюминий) — испаритель из 6-и вольфрамовых проволок; для третьего слоя (никель) — испаритель из 5-х вольфрамовых проволок.
Проверить работу заслонки. Заслонка должна свободно открываться и закрываться.
Опустить колпак.
Откачать рабочую камеру до давления 5*10-5 мм рт. ст. согласно инструкции по эксплуатации.
Произвести отжиг испарителей:
первый испаритель-ток 280А, отжиг в течение 3 мин.
второй испаритель-ток 600А, отжиг в течение 2 мин.
третий испаритель-ток 600А, отжиг в течение 2 мин.
Студить рабочую камеру в течение 1 часа при открытом затворе.
Закрыть затвор, разгерметизировать, поднять колпак.
Поместить навеску: на первый испаритель - хром, на второй - алюминий, на третий - никель.
Поместить подложку в подложкодержатель.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.