Информатика и выч. техника \ Конструирование и технология микросхем

Разработка технологической инструкции на изготовление генератора в виде гибридной интегральной микросхемы, страница 7

-  определить сопротивление, которое необходимо напылить по формуле R=psn,
где рх-удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки, n-число квад­
ратов.

-  открыть заслонку.

-  включить питание испарителя. Установить ток через испаритель 150±30А и
отжечь испаритель в течение 5 минут.

-  произвести напыление резистивной пленки, контролируя изменение сопро­
тивления "свидетеля", R=1000 Ом/ !. В процесс напылени следить, чтобы на
испарителе не образовывалась горка резистивного сплава.

-  продолжать нагрев подложки в течении 10 мин., затем выключить нагрев,
студить подколпачное устройство до Т=80°С (при откачке на высокий вакуум).

-  студить подколпачное устройство до Т=50°С на подложке, закрыть затвор,
разгерметизировать колпак.

- поднять колпак, вынуть подложки, уложить их в тару.
—Оборудование: установка вакуумно-термического напыления УВН-2М-1

УРМЗ.279.017.

-Инструмент: пинцет МП 500-60, отвертка ГОСТ 17199-71, ключи.

-Оснастка: тара для хранения и транспортировки УЭ 7878-29,УЭ 7878-30, УЭ

-7878-31.

-Материалы: спирт этиловый ГОСТ 18300-72, вата ГОСТ 10477-75, перчатки резиновые ГОСТ 3-53.

5.2 Фотолитография

-  установить скорость центрифуги 2000 об/мин, время вращения одна минута,
согласно инструкции по эксплуатации; ДЕМЗ.281.001 ТО

- поместить подложку на столик центрифуги.

- включить вакуумный прижим.

- нанести каплю фоторезиста на подложку.

- включить вращение центрифуги.

- отключить вакуумный прижим.


-  снять подложку с центрифуги.

-  поместить подложку в сушильную камеру (t=90 С, время сушки 15 мин);

-  поместить подложку на столик установки совмещения экспонирования;

-  произвести установку фотошаблона в шаблонодержатель согласно инструк­
ции по эксплуатации;

-  произвести совмещение изображения фотошаблона с подложкой согласно
инструкции по эксплуатации;

-  произвести экспонирование рисунка фотошаблона на подложку (время экс­
понирования 1 мин);                                        ,

-  поместить пластину в посуду с проявителем (состав проявителя: 2%-й рас­
твор Na3PO4);

-  проявлять в течение 1 мин;

-  контролировать качество проявления визуально под микроскопом МБС-9, в
случае необходимости произвести ретушь или допроявление;

-  поместить пластину в термостат, дубить в течение 10 мин при Т=120°С;

Оборудование: полуавтомат для нанесения фоторезиста ПФН-1, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-1, установка совмещения и экспонирования ЭМ-526, вытяжной шкаф 2 ШНЖ - ТУ 95.7028-73, дистиллятор Д-4, микроскоп МБС-9.

Инструмент: пинцет МН500-60.

Оснастка: фотошаблон, кассеты фторопластовые для подложек УЭ 7893-4412, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371 -73, тара для хранения и транспортировки УЭ78934412-01.

Материалы: фоторезист ФП9120-1 ТУ6-36-00210134-121-0-96, спирт этило­вый ГОСТ 10157-73, диоксан ГОСТ10455-75 , HF ГОСТ 10484-73, дистиллиро­ванная вода ГОСТ 3424-62, Na3PO4 ГОСТ 9337-79 , вата ГОСТ 10447-75, фильтры бумажные УЭ7887-4105, перчатки резиновые ГОСТ 3-75, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-72.

5.3 Травление

—произвести травление резистивного слоя

- поместить пластину в посуду с травите л ем;

-травить пленку до полного удаления с поверхности подложки;

-быстро вынуть подложку из раствора, промыть проточной дистиллированной водой в течение 1 мин;

-контролировать качество травления визуально под микроскопом МБС-9, при необходимости произвести повторное травление;

-поместить подложку в посуду с диоксаном, выдерживать до полного удале­ния фотороезиста, при необходимости использовать ватный тампон;

-промыть подложку дистиллированной водой в течение 1 мин;

—контролировать качество удаления фоторезиста визуально под микроскопом МБС-9, при необходимости повторить;

-сушить на центрифуге в течении 2 минут;

-поместить подложку в тару.


Оборудование: вытяжной шкаф 2 ШНЖ - ТУ 95.7028-73, дистиллятор Д-4, микроскоп МБС-9, электрическая плитка ЭПК-7А - ГОСТ 306-69, весы лаборатор­ные квадрантные модели ВЛК-5ООг - ТУ 25-06-1101-72.

Инструмент: пинцет МН500-60.

Оснастка: термостойкая химическая посуда ГОСТ 9147-73, фторопластовая ванна для травления CMC УЭ7893-4380, кассеты фторопластовые для подложек УЭ 7893-4412, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73, тара для хранения и транспортиров­ки УЭ78934412-01.

Материалы: фоторезист ФП9120-1 ТУ6-36-00210134-121-0-96, спирт этиловый ГОСТ 10157-73, диоксан ГОСТ10455-75 , вата ГОСТ 10447-75, фильтры бумажные УЭ7887-4105, перчатки резиновые ГОСТ 3-75, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-72.

5.4 Контроль и межоперационная очистка

-   поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить в течении 5 мин;

— сушить подложку в парах спирта в течении 2-3 минут;

-   контролировать качество промывки каждой подложки под микроскопом
МБС-9;

— поместить подложки в тару для хранения и транспортировки.
Оборудование: микроскоп МБС - 9.

Инструмент: пинцет МН500-60.

Оснастка: кассеты фторопластовые для подложек УЭ 7893-4412, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73, тара для хранения и транспортировки УЭ78934412-01. Материалы: спирт этиловый ГОСТ 10157-73, перчатки резиновые ГОСТ 3-75, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-72.

4. Изготовление нижних обкладок конденсаторов

4.1.Напыление слоя Сг - А1.

-  подготовить подколпачное устройство согласно инструкции по эксплуатации
ЭЕ2.950.081.ТО;

-  установить испарители по месту:

для первого слоя (Сг) - испаритель из молибденовой ленты; для второго слоя (А1) - испаритель из 6 вольфрамовых проволок;

-  опустить колпак и откачать рабочую камеру до вакуума 10-5 мм рт. ст.    согласно инструкции по эксплуатации;

-  произвести отжиг испарителя:

ток на испарителе 600 А, время отжига 2 минуты.

-  остудить рабочую камеру при открытом затворе в течении одного часа.

Скачать файл