Батарейные системы зажигания. Назначение систем зажигания. Основные элементы. Угол опережения зажигания, страница 10

-увеличивается наибольшая мощность искрообразования;

-увеличивается напряжение вторичной обмотки;

-снижается величина тока, проходящего через контакты, и тем самым, устраняется эрозия их поверхностей;

-регулируется мощность искрообразования в зависимости от температурного состояния ДВС;

-исключается нагрев и выгорание элементов при включенном зажигании и неработающем ДВС и др.

Мощность искры в схеме (рис. 9.5) зависит от температурного состояния VT2, и на горячем ДВС уменьшается, а на холодном – увеличивается и, облегчая  его запуск. При замыкании контактов прерывателя S1 импульс энергии проходит через емкость С1, кратковременно открывая VT1 и VT2. В момент размыкания S1 емкость С2 сглаживает пик импульса напряжения (напряжения самоиндукции) на первичной обмотке катушки зажигания. R5 и R6* ограничивают максимальное напряжение на коллекторе транзистора VT2, которое может «пробить» его (рис. 9.5).

Рис. 9.5.  Принципиальная электрическая схема электронной системы зажигания:

S1 –контакты зажигания; R1 - R5 резисторы; R6*- подстроечный резистор; С1, С2 – конденсаторы; VД1 – диод; VT1 – транзистор типа «P-N-P»; VT2 - транзистор типа «N - P - N»; L – катушка зажигания; Р – распределитель; СВ – свечи зажигания

При достижении на базе напряжения требуемой величины, транзистор VT2 приоткрывается и ограничивает его дальнейший рост. Напряжение базы (управления транзистором) VT2 зависит от величины напряжения на переходе «база-эмиттер», которое зависит от его температуры. Таким образом, температурный режим VT2 косвенно определяет величину тока первичной обмотки и, тем самым, мощность искрообразования на свече зажигания в зависимости от температуры (ДВС).

При  размыкании контактов прерывателя S1 транзисторы VT1 и  VT2  закрываются. Это приводит к образованию импульса во вторичной обмотке W2 (рис. 9.5) и  возникновению искры на свече.

При длительно замкнутых контактах S1 ток через С1 постепенно убывает при его зарядке. Транзисторы VT1 и VT2 плавно закрываются, защищая катушку зажигания от перегрева.

Резистор R6* является подстроечным и обеспечивает стабилизацию выходного напряжения. Его номинал подбирается в зависимости от используемой катушки зажигания. На схеме (рис. 9.5) величина R6* указана для катушки Б115. Характеристики первичной обмотки катушки зажигания Б115: Ri = 1,6 Ом, I < 8А, U_i < 330 В. Коэффициент трансформации К = 68.

Для катушки Б116 ― R_i = 0,6 Ом, I_i < 20 A, U_i < 160 В, К = 154, величина R6* = 11 кОм. Для этой катушки в качестве VT2 лучше использовать транзистор типа КТ898А.

Для повышения надежности схемы используется составной транзистор VT2, рассмотренный на рис. 9.6.

Рис. 9.6. Принципиальная схема составного транзистора VT2:

VT VT2,  VT3 - транзисторы типа «N - P - N» (КТ814А); R7- резистор; VД2 – диод

Элементы и приборы данной схемы являются дополнением к схеме, рассмотренной на рис. 9.5 (вместо VT2). Клеммы подключения имеют одинаковые наименования. Вместо транзистора КТ892Б1 устанавливаются два транзистора КТ814А, что повышает надежность при эксплуатации.

9.6. Преимущества и недостатки электронных систем зажигания

Для оценки преимуществ и недостатков любой системы зажигания необходимо в первую очередь  рассчитать и сравнить их энергию искрообразования. Рассмотрим энергию искрообразования в контактной батарейной системе зажигания (КБСЗ). Наиболее распространенной катушкой зажигания данной системы является катушка типа Б1.Основными характеристиками первичной обмотки катушки Б1 являются: индуктивность равная 8,5 мГ, максимальный ток разрыва (при пуске ДВС) ― 4 А, напряжение ―12В.

Максимальная энергия, накопленная в магнитном поле катушки Б1, определится

.                                                                                                             (9.2)