• 
Re  мощных ПТШ составляет единицы
ом, что позволяет возбуждать его гармоническим входным током;
мощных ПТШ составляет единицы
ом, что позволяет возбуждать его гармоническим входным током;
• такому виду возбуждения способствует наличие индуктивностей затвора и истока, которые фильтруют ток;
• 
на рабочих частотах сопротивление
емкости обедненного слоя под затвором со стороны стока у реального транзистора
существенно больше суммарного сопротивления цепочки  ,поэтому
,поэтому 
 ;
;
• 
при гармонической форме входного
тока  форма тока
 форма тока  также
близка к гармонической, а следовательно, заряд
 также
близка к гармонической, а следовательно, заряд  на
на  также гармонический.
 также гармонический.
Для
расчета режима работы ПТШ вводят понятие управляющего заряда  , т.е. суммарного заряда управляемой части канала:
, т.е. суммарного заряда управляемой части канала:  ,где
,где  — заряд
полностью заполненного электронами канала;
— заряд
полностью заполненного электронами канала;  ,
, — высота и ширина канала;
— высота и ширина канала;  — заряд обедненной
электронами области под затвором;
— заряд обедненной
электронами области под затвором;  ,
,  —
заряд электронов и их концентрация.
—
заряд электронов и их концентрация.
Учитывая,
что  — величина постоянная, a
— величина постоянная, a  имеет
гармоническую форму, получаем, что и
 имеет
гармоническую форму, получаем, что и  ) изменяется во времени по гармоническому закону:
) изменяется во времени по гармоническому закону: .
.
Для
расчета режима работы ПТШ необходимо найти зависимости: 1) и 2)
и 2)  .
.
1.                Если
канал полностью заполнен электронами (барьер Шотки открыт), то через сток протекает
постоянный ток  .При закрывании барьера Шотки под затвором появляется
обедненная область и ток уменьшается:
.При закрывании барьера Шотки под затвором появляется
обедненная область и ток уменьшается:   .
.
С учетом сказанного имеем:

Полученное соотношение ic(qy) определяет переходную характеристику мощного ПТШ. Ее вид аналогичен характеристике для БТ. Дальнейший расчет режима работы ПТШ проводим по методике для биполярного транзистора (формулы (1)-(9), (12), § 10.3).
2.                Остается
найти связь управляющего заряда с выходным напряжением и рассчитать входное сопротивление
ПТШ. Если пренебречь
зависимостью емкости Ск от амплитуды первой гармоники
напряжения  , то
, то
 , где
значение
, где
значение  получаем из
выражения
 получаем из
выражения  подставляя
вместо
  подставляя
вместо  значение постоянного
напряжения смещения на затворе. Как показала практика, значение Есм
выбирают из диапазона иотс < Есм < 0,
или
значение постоянного
напряжения смещения на затворе. Как показала практика, значение Есм
выбирают из диапазона иотс < Есм < 0,
или  =0,5
=0,5 .
.
Расчет входного сопротивления ПТШ. В соответствии с эквивалентной схемой ПТ (рис. 1.27):
 , где
, где  — амплитуда первой гармоники тока через
— амплитуда первой гармоники тока через  ;
;  — амплитуда
первой гармоники тока истока.
 — амплитуда
первой гармоники тока истока.
Более подробно расчет ZBXс учетом емкости стока Сс и влияния расстройки выходной цепи приведен в [22, 24, 29].
10.5. Расчет цепей смещения и согласования в усилителе мощности [5, 8, 18]
В § 1.9 рассмотрены общие вопросы классификации и назначения схем питания, смещения и согласования в УМ, варианты их построения и расчета их элементов, приведены результаты их анализа и сравнения. В настоящем разделе рассмотрим некоторые особенности расчета схем, связанные с физической природой используемых АЭ.
Цепи
смещения УМ на биполярных транзисторах. Напряжение
смещения БТ в оптимальном режиме зависит от  — амплитуды
первой гармоники управляющего заряда, а следовательно, от входной мощности Рвх:
 — амплитуды
первой гармоники управляющего заряда, а следовательно, от входной мощности Рвх:
 , где
, где  —
коэффициент разложения Фурье;
 —
коэффициент разложения Фурье;  — угол отсечки;
— угол отсечки;
 — барьерная
емкость транзистора.
 — барьерная
емкость транзистора.
Использование
фиксированной цепи смещения нецелесообразно, так как изменение Рвх
приводит к отклонению режима транзистора по постоянному току от
оптимального. Применяется комбинированное смещение: к базе подводится  и
обеспечивается автосмещение
 и
обеспечивается автосмещение
 .
.
Определим
номинал  . Пусть
автосмещение задается постоянным током базы
. Пусть
автосмещение задается постоянным током базы  , тогда
, тогда  , отсюда с
учетом того, что
, отсюда с
учетом того, что  и
 и  , получаем
, получаем
 =
= , где
, где  — время рекомбинации, среднее время жизни неосновных носителей.
— время рекомбинации, среднее время жизни неосновных носителей.
Таким
образом, требуемое смещение обеспечивается сопротивлением  и постоянным напряжением
источника, равным
и постоянным напряжением
источника, равным  . Для схемы
смещения (см. рис. 1.38) требуемый режим установится, если
. Для схемы
смещения (см. рис. 1.38) требуемый режим установится, если
 ;
;                       .
.
Расчет узкополосных согласующих цепей [18, с. 81]. При выборе согласующих цепей (СЦ) необходимо стремиться к их максимальной простоте, обеспечить требуемую избирательность, учитывать особенностей рабочего диапазона частот.
Входная СЦ мощного УМ на БТ, включенного по схеме ОЭ. Используем эквивалентную схему для мощного БТ (рис. 10.2,а).
1.                Пересчитываем
 в
 в  , включенное последовательно в контур
, включенное последовательно в контур  ,
,  ,
,  :
: ;
 ; ; так как
; так как  , то
, то 
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.