Зная действительную часть сопротивления , можно рассчитать , потребляемую от возбудителя, и коэффициент усиления . Входная мощность расходуется в сопротивлениях и ,т.е. .Сопротивление потребляет мощность . Мощность ,связанная с и обусловленная прямым прохождением в нагрузку через э, определяется равенством , где . Отсюда .
Так как СэСк, можно считать, что при расчете выходной согласующей цепи УМ емкость Ск включена между коллекторным и эмиттерным переходами транзистора. Барьерная емкость Ск является элементом связи входной и выходной цепей УМ по схеме с ОЭ и оказывает влияние на нагрузочные характеристики транзистора (более пологий максимум в граничном режиме, а следовательно, повышенная стабильность выходной мощности в оптимальном режиме).
Порядок расчета режима работы АЭ в УМ. Запишем соотношения, определяющие режим работы мощного БТ, в порядке, удобном для расчета УМ на максимум и :
1) ;
2) ;
3) ;
4) ;
5) ;
6) ;
7) ;
8) ;
9) ;
10) (проверка: ) ;
11) ;
12) ;
13) ;
14) ;
15) ;
16) ;
17) ;
18) ;
19) ;
20) ;
21) ;
22) ;
23) .
Значения и рассчитывают заранее: < (0,8...0,9) ; .
Угол отсечки выбираем из диапазона 60...120°, максимизируя оптимизируемый параметр.
Рис. 10.1. Блок-схема расчета режима работы мощного транзистора
• граничные частоты и ; ;
• крутизна линии граничных режимов на выходных статических ВАХ
;
• напряжение отсечки ;
• барьерные емкости эмиттерного и коллекторного переходов: Сэ, Ск;
• индуктивности эмиттерного и базового выводов: , .
Пример. Требуется рассчитать режим работы транзистора в УМ, выполненного по схеме с ОЭ, при = 10 Вт на частоте 200 МГц.
Критерий выбора транзистора — максимальное значение рассеиваемой мощности ( = ).Выбираем транзистор КТ920В (= 14 Вт), который имеет следующие характеристики: = 600 МГц; = 1 В; = 7 А; В = 20; = 1200 пФ; = 36 В, 30 МГц; = 70 пФ; = 2,4 нГн; = 4 А/В; = -4 В; = 1 нГн.
Учитывая, что , выбираем = 12,6 В. Установив = 90°, получим ; .
В диапазоне высоких частот оптимальный режим соответствует наибольшим значениям и . Оптимизация режима осуществляется изменением значений угла отсечки коллекторного тока и тока , варьируемых в пределах оговоренных ранее ограничений. Блок-схема алгоритма расчета и оптимизации режима работы транзистора приведена на рис. 10.1.
В результате расчета и оптимизации режима работы мощного транзистора были получены следующие данные: = 3,5 A; = Кл; %; = 26,5 Ом; = 1,75 А; = 2,1 А; = 3,8 Вт; = 6,7 Ом; = = 1,1 A; = -3,6 В; = 0,2 Вт; = 13,2 Ом; = 0,9; = -0,5 В;= 2,2 Вт; = 1 Ом; = 11,7 В; = 10,2 Вт; = 2,4 Вт; = 3 нГн; = 1,8; = 14 Вт; = 5; = 720 пФ.
10.4. Расчет режимов работы полевых транзисторов [8, 18, 19, 22]
Режимы работы полевых транзисторов рассчитываются по разным методикам, выбор которых определяется значениями рабочей частоты и выходной мощности.
Расчет режима МДП-транзисторов. Маломощные МДП-транзисторы (< 0,1 Вт) на относительно низких частотах, где не учитывается их инерционность, целесообразно рассчитывать по статическим ВАХ, используя методику и уравнения, приведенные в разд. 1.7.2 [7, 8]. При этом используется кусочно-линейная аппроксимация ВАХ и учитывается, что воздействие на входе транзистора — гармоническое напряжение на затворе .
С ростом частоты появляется фазовый сдвиг между входным напряжением и управляющим напряжением на емкости . Коэффициент передачи напряжения становится комплексным: , где . . В результате допущение оказывается неприемлемым.
Таким образом, расчет режимов МДП-транзисторов по статическим ВАХ возможен до частот не более 0,5, где .
Режим мощных МДП-транзисторов, работающих на высоких частотах, рассчитывается в предположении, что форма входного тока гармоническая.
Расчет режима работы ПТШ. Методика расчета режима работы АЭ приведена в разд. 1.7.2, а также в [8, 22]. При расчете принимают следующие допущения:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.