Зная
действительную часть сопротивления
, можно рассчитать
, потребляемую от возбудителя, и коэффициент усиления
. Входная
мощность расходуется в сопротивлениях
и
,т.е.
.Сопротивление
потребляет мощность
. Мощность
,связанная с
и обусловленная прямым
прохождением в нагрузку через
э, определяется равенством
, где
. Отсюда
.
Так как
СэСк,
можно считать, что при расчете выходной согласующей цепи УМ емкость Ск
включена между коллекторным и эмиттерным переходами транзистора. Барьерная
емкость Ск является элементом связи входной и выходной цепей УМ по
схеме с ОЭ и оказывает влияние на нагрузочные характеристики транзистора
(более пологий максимум в граничном режиме, а следовательно, повышенная стабильность
выходной мощности в оптимальном режиме).
Порядок
расчета режима работы АЭ в УМ. Запишем
соотношения, определяющие режим работы мощного БТ, в порядке, удобном для
расчета УМ на максимум и
:
1)
;
2)
;
3)
;
4)
;
5)
;
6)
;
7)
;
8)
;
9)
;
10)
(проверка:
) ;
11)
;
12)
;
13)
;
14)
;
15)
;
16)
;
17)
;
18)
;
19)
;
20)
;
21)
;
22)
;
23)
.
Значения
и
рассчитывают
заранее:
< (0,8...0,9)
;
.
Угол
отсечки выбираем из диапазона 60...120°, максимизируя
оптимизируемый параметр.
![]() |
Рис. 10.1. Блок-схема расчета режима работы мощного транзистора
• граничные частоты и
;
;
• крутизна линии граничных режимов на выходных статических ВАХ
;
• напряжение отсечки ;
• барьерные емкости эмиттерного и коллекторного переходов: Сэ, Ск;
• индуктивности эмиттерного и базового выводов: ,
.
Пример.
Требуется рассчитать режим работы
транзистора в УМ, выполненного по схеме с ОЭ, при = 10 Вт на частоте 200
МГц.
Критерий
выбора транзистора — максимальное значение рассеиваемой мощности (
=
).Выбираем
транзистор КТ920В (
= 14 Вт), который имеет
следующие характеристики:
= 600 МГц;
= 1 В;
= 7 А; В = 20;
= 1200 пФ;
= 36 В,
30 МГц;
= 70 пФ;
= 2,4 нГн;
= 4 А/В;
= -4 В;
= 1 нГн.
Учитывая,
что , выбираем
= 12,6 В. Установив
= 90°, получим
;
.
В
диапазоне высоких частот оптимальный режим соответствует наибольшим значениям и
. Оптимизация режима осуществляется изменением значений
угла отсечки
коллекторного тока и тока
, варьируемых в пределах оговоренных ранее ограничений.
Блок-схема алгоритма расчета и оптимизации режима работы транзистора приведена
на рис. 10.1.
В
результате расчета и оптимизации режима работы мощного транзистора были
получены следующие данные: = 3,5 A;
=
Кл;
%;
= 26,5 Ом;
= 1,75 А;
= 2,1 А;
= 3,8 Вт;
= 6,7 Ом;
= = 1,1 A;
= -3,6 В;
= 0,2 Вт;
= 13,2 Ом;
= 0,9;
= -0,5 В;
= 2,2 Вт;
= 1 Ом;
= 11,7 В;
= 10,2
Вт;
= 2,4 Вт;
= 3 нГн;
= 1,8;
= 14 Вт;
= 5;
= 720 пФ.
10.4. Расчет режимов работы полевых транзисторов [8, 18, 19, 22]
Режимы работы полевых транзисторов рассчитываются по разным методикам, выбор которых определяется значениями рабочей частоты и выходной мощности.
Расчет
режима МДП-транзисторов. Маломощные
МДП-транзисторы (< 0,1 Вт) на относительно низких частотах, где не
учитывается их инерционность, целесообразно рассчитывать по статическим ВАХ,
используя методику и уравнения, приведенные в разд. 1.7.2 [7, 8]. При этом
используется кусочно-линейная аппроксимация ВАХ и учитывается, что воздействие
на входе транзистора — гармоническое напряжение на затворе
.
С ростом
частоты появляется фазовый сдвиг между входным напряжением и управляющим напряжением
на емкости
. Коэффициент
передачи напряжения становится комплексным:
, где
. . В
результате допущение
оказывается
неприемлемым.
Таким
образом, расчет режимов МДП-транзисторов по статическим ВАХ возможен до частот
не более 0,5, где
.
Режим мощных МДП-транзисторов, работающих на высоких частотах, рассчитывается в предположении, что форма входного тока гармоническая.
Расчет режима работы ПТШ. Методика расчета режима работы АЭ приведена в разд. 1.7.2, а также в [8, 22]. При расчете принимают следующие допущения:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.