Транзистор IRF540 (n–канальный MOSFET)
Основные параметры транзистора IRF540
Обозн. (Symbol) |
Параметр (Parameter) |
Условия (Conditions) |
Мин. (Min) |
Макс. (Mаx) |
Ед. изм. (Unit) |
IC (ID) |
Постоянный ток стока (Continuous drain current) |
TC = 25 °C |
– |
22 |
A |
ICmax (IDM) |
Импульсный ток стока (Pulsed drain current) |
– |
– |
88 |
A |
UЗИ (VGS) |
Напряжение затвор–исток (Gate-to-source voltage) |
– |
– |
±20 |
B (V) |
UCИmax (VDSS(BR)) |
Максимальное напряжение сток-исток (Drain-to-source breakdown voltage) |
UЗИ = 0 В; IC = 250 мкА |
100 |
– |
B (V) |
UЗИmax (VGS(th)) |
Максимальное напряжение затвор-исток (Gate threshold voltage) |
UЗИ = UCИ; IC = 250 мкА |
2 |
4 |
B (V) |
Rканала (RDS(ON)) |
Сопротивление канала в открытом состоянии (Static drain-to-source on-resistance) |
UЗИ = 10 В; IC = 11 А |
– |
0.077 |
Ом (W) |
Pк (Ptot) |
Рассеиваемая мощность (Total power dissipation) |
TC = 25 °C |
– |
85 |
Вт (W) |
tокр (tamb) |
Температура окружающей среды (Operating ambient temperature) |
– |
-55 |
175 |
°C |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.