Транзистор BD139 (n–p–n)
|
Основные параметры транзистора BD139
Обозн. (Symbol) |
Параметр (Parameter) |
Условия (Conditions) |
Мин. (Min) |
Макс. (Mаx) |
Ед. изм. (Unit) |
Uкб (VCBO) |
Напряжение коллектор–база (Collector–base voltage) |
Открытый эмиттер (Open emitter) |
– |
100 |
B (V) |
Uкэ (VCEO) |
Напряжение коллектор–эмиттер (Collector-emitter voltage) |
Открытая база (Open base) |
– |
80 |
B (V) |
Uэб (VEBO) |
Напряжение эмиттер–база (Emitter-base voltage) |
Открытый коллектор (Open collector) |
– |
5 |
B (V) |
Iк (IC) |
Постоянный ток коллектора (Collector current) |
– |
– |
1.5 |
А |
Iк max (IKM) |
Амплитуда тока коллектора (Peak base current) |
– |
– |
2 |
А |
Iб max (IBM) |
Амплитуда тока базы (Peak base current) |
– |
– |
1 |
А |
Pк (Ptot) |
Рассеиваемая мощность (Total power dissipation) |
tamb ≤ 70 °C |
– |
8 |
Вт (W) |
h21Э (hFE) |
Статический коэффициент передачи |
IC = 150 мA; VCE = 2 В |
63 |
250 |
– |
tокр (tamb) |
Температура окружающей среды (Operating ambient temperature) |
– |
-65 |
150 |
°C |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.