Состояние производства интегральных схем и транзисторов УП «Завод Транзистор» аттестовано Министерством Обороны Российской Федерации на соответствие требованиям «Положения о порядке проведения аттестации предприятий–разработчиков и изготовителей электрорадиоизделий военного назначения».
Испытательный центр по проведению испытаний полупроводниковых приборов и интегральных микросхем УП «Завод Транзистор» признано соответствующим требованиям Системы аккредитации поверочных и испытательных лабораторий РБ и аккредитовано на техническую компетентность.
Высокий уровень качества продукции УП «Завод Транзистор» подтвержден не только в РБ и странах СНГ. Ведущий мировой производитель силовой электроники фирма «International Rectifier» (США) аттестовало УП «Завод Транзистор» как свой дополнительный завод «Фаундри», подтвердив, что изделия этого производства «соответствуют тем же самым высоким стандартам качества надежности и рабочих характеристик», что и изделия «International Rectifier».
Отмеченные мероприятия УП «Завод Транзистор» дают основания надеяться на высокую РА как на внутреннем, так и на внешнем рынках на перспективу, а перспективный план рыночной активности ИСМЭ на 2004г. (табл. 3.1) по результатам первого полугодия подтверждает обоснованность факторов, заложенных в РА.
Таблица 3.1 |
|||||||||||||
Планирование рыночной активности на 2004 г. (рынки дальнего зарубежья). |
|||||||||||||
Тип изделий |
январь |
февраль |
март |
апрель |
май |
июнь |
июль |
август |
сентябрь |
октябрь |
ноябрь |
декабрь |
Итого млн. шт./тыс.$ |
Диоды Шоттки |
|||||||||||||
40 $/пл. |
|||||||||||||
пластины, тыс. шт. |
4,0 |
4,6 |
4,6 |
5,1 |
5,7 |
6,3 |
6,3 |
6,9 |
7,4 |
8,0 |
8,7 |
||
Резан. пл - ны, тыс. шт. |
3,0 |
3,4 |
3,4 |
3,9 |
4,3 |
4,7 |
4,7 |
5,1 |
5,6 |
6,0 |
6,3 |
||
тыс.пл. план/факт |
7,0/7,0 |
7,0/10,2 |
8,0/8,2 |
8,0/7,5 |
9,0/8,5 |
10,0/9,3 |
11,0 |
11,0 |
12,0 |
13,0 |
14,0 |
15,0 |
112,5(т.шт)/4500 |
349 |
242,0 |
218,0 |
320,0 |
360,0 |
400,0 |
440,0 |
440,0 |
480,0 |
520,0 |
560,0 |
600,0 |
4 929,0 |
|
Стабилизаторы |
|||||||||||||
78ХХ, 78ХХМ, 78ХХММ, |
8,0/7,4 |
4,5/4,6 |
3,0/2,8 |
3,0/1,8 |
3,0/1,9 |
2,5/2,2 |
2,5 |
3,0 |
3,0 |
3,5 |
3,5 |
4,0 |
43,5/1003 |
млн. шт.кр. план/факт |
|||||||||||||
127 |
78,0 |
70,0 |
78,0 |
78,0 |
65,0 |
65,0 |
78,0 |
78,0 |
91,0 |
91,0 |
104,0 |
1 003,0 |
|
Стабилизаторы |
|||||||||||||
78LХХ, 78LХХМ, 78LXXММ, |
5,3/5,04 |
5,0/7,5 |
12/9,0 |
20,0/21,1 |
20,0/13,4 |
20,0/6,4 |
25,0 |
25,0 |
20,0 |
20,0 |
25,0 |
25,0 |
222,3/1773 |
млн. шт. кр. план/факт |
|||||||||||||
40 |
61,0 |
72,0 |
160,0 |
160,0 |
160,0 |
200,0 |
200,0 |
160,0 |
160,0 |
200,0 |
200,0 |
1 773,0 |
|
TL431, 432, 1431 |
9,8/11,2 |
14/12,6 |
20,5/21,5 |
30,0/31,4 |
35,0/33,2 |
35,0/28,3 |
40,0 |
40,0 |
40,0 |
40,0 |
40,0 |
40,0 |
384,3/2938 |
млн. шт. кр. план/факт |
|||||||||||||
90 |
95,0 |
163,0 |
228,0 |
266,0 |
266,0 |
305,0 |
305,0 |
305,0 |
305,0 |
305,0 |
305,0 |
2 938,0 |
|
ASM1117, KD1084 |
0,0 |
0,0 |
0,0 |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1,5 |
2,0 |
4,5 |
6,0 |
8,0 |
8,0 |
30,8/773 |
млн. шт. кр. план/факт |
|||||||||||||
3,0 |
6,0 |
15,0 |
37,0 |
50,0 |
112,0 |
150,0 |
200,0 |
200,0 |
773,0 |
||||
CMOS интегральные микросхемы, |
2,5/3,07 |
1,1/1,45 |
3,0/3,3 |
2,5/3,1 |
2,8/3,03 |
2,5/3,06 |
2,5 |
3,0 |
3,5 |
3,5 |
3,0 |
3,5 |
33,4/404 |
млн. шт. кр. план/факт |
43 |
26,0 |
20,0 |
30,0 |
35,0 |
30,0 |
30,0 |
35,0 |
40,0 |
40,0 |
35,0 |
40,0 |
404,0 |
Итого (тыс. USD) |
422,0 |
655,0 |
578,0 |
716,0 |
905,0 |
936,0 |
1 077,0 |
1 108,0 |
1 175,0 |
1 266,0 |
1 391,0 |
1 449,0 |
11 820,0 |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.