Влажность воздуха. Характеристика жидкого состояния вещества. Характеристика твердого состояния вещества. Плавление и кристаллизация, страница 18

На рисунке 24 изображен скелет кристаллической решетки твер­дой двуокиси углерода СО2, («сухого льда»), в узлах которой по­казаны молекулы СО2. Однако в действительности молекулы СО2 внутри кристалла располагаются вплотную, подобно шарам при плотной упаковке, как показано на рис.  (вверху изображена молекула СО2,). Это в полной мере относится и к кристаллам дру­гих веществ.

Опыт показал, что идеального дальнего порядка в расположе­нии частиц твердого вещества на практике никогда не получается.

 Любые отступления от идеального порядка в кристалле называют дефектами пространственной решетки. Одним из важнейших дефектов решетки является нарушение правильного расположения 


Рисунок 24 - Модель кристаллической решетки двуокиси углерода  

Рисунок 25 – Схема расположения молекул СО2 в кристаллической  решетки двуокиси углерода


частиц кристалла в: каждый момент времени, обусловленное тепловым движением этих частиц. Действительно, поскольку частицы непрерывно движутся, узлы определяют лишь среднее положение  каждой  частицы.

Еще одним важным дефектом является нарушение в строении самой решетки, называемое дислокацией (рисунок 26).

                        


Подпись: Рисунок  27 – Внедрение  чужеродных   атомов


    


Подпись: Рисунок 26 – Дислокация

Часто встречающимся видом дефекта кристаллической решетки является внедрение чужеродных атомов или молекул в отдельные узлы решетки (рисунок 27).

Не менее часто встречается дефект, заключающийся в отсут­ствии частиц в отдельных узлах решетки, который в основном обусловливает возможность диффузии в твердых телах.

Этими примерами не ограничиваются виды дефектов пространственных решеток.

Дефекты решетки в кристаллах сильно влияют  на многие свойства твердых тел, например на прочность, пластичность, электропроводность и т.д.           

Виды кристаллических структур

Различные типы кристаллов их возможное расположение узлов в пространственной решет­ке изучает кристаллография. В физике кристаллические структуры рассматривают не с точки зрения их геометрии, а по характеру сил, действующих между частицами кристалла, т. е. по типу связей между частицами.


 

                                           

                                                           • Na+    o Cl-

Подпись: Рисунок 28 - a) Модель кристаллической решетки хлористого натрия; б) размеще¬ние ионов   Na+ и Сl-.

a)                           б)

Между частицами, находящимися в узлах решетки кристалла, различают четыре типичные кристаллические структуры: ионную, атомную, молекулярную и металлическую. Выясним, в чем заклю­чается сущность различия между этими структурами.

Ионная кристаллическая структура характеризуется нали­чием положительных и отрицательных ионов в узлах решетки. Си­лами, которые удерживают ионы в узлах такой решетки, являют­ся силы электрического притяжения и отталкивания между этими ионами.

На рисунке 28, а изображены центры ионов в узлах решетки хлористого натрия (поваренной соли), а на рисунке 28,б—упаков­ка ионов Na+ и С1~ в такой решетке.

Разноименно заряженные ионы, в ионной решетке расположены ближе друг к другу, чем одноименно заряженные, поэтому силы притяжения между ионами решетки преобладают над силами оттал­кивания. Этим и обусловливается значительная прочность кристал­лов с ионной решеткой.

При плавлении веществ с ионной кристаллической решеткой из узлов решетки в расплав переходят ионы, которые становятся свободными носителями зарядов. Поэтому такие расплавы являются хорошими проводниками электрического тока. Это справедливо и для растворов кристаллических веществ с ионной решеткой. На­пример, раствор поваренной соли в воде является очень хорошим проводником электрического тока.

Атом н а я   кристаллическая структура характеризуется наличием нейтральных атомов в узлах решетки, между которыми имеется ковалентная связь. Ковалентной называется такая связь, при которой каждые два соседних атома удерживаются рядом силами притяжения, возникающими при взаимном обмене двумя валентными электронами между этими атомами.