Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни "Матеріали мехатронних пристроїв", страница 31

                                 ,                                      (7.9)

де  – амплітуда магнітної індукції, Тл;

      – частота перемінного току, Гц;

      – товщина листу, м;

      – щільність, кг/м3;

      – питомий електроспротив, Ом м.

Додаткові втрати  не можна розрахувати аналітично і їх визначають звичайно як різновидність між повними втратами і сумою втрат  і  :

                                   (7.10)

Площа петлі гістерезису Ph (втрати на гістерезис) прямо пропорційна роботі, удосконаленої при перемагнічуванні:

                                                    Ph = ∫ HdB.                                              (7.11)

У роботі досліджуються матеріали феромагнітної групи, у яких значення магнітної сприйнятливості може досягати значення 103-104 .

Вивчення якості магнітних матеріалів виробляється осцилографічним методом, який можна розглядати як різновидність індукційного. Схема виміру зображена на рис. 7.3.

Використовуються зразки тороїдальної форми. На магнітний зразок накладають намагнічувану обмотку з числом витків  і обмотку для зміни індукції числом витків . Послідовно з першою обмоткою вмикається спротив ; при спаді напруги на ньому можна розрахувати ток у обмотці й напругу магнітного поля, створюваного током.

 

Рисунок  7.3 – Схема виміру

На горизонтальні пластини осцилографу подається напруга , пропорційна напрузі магнітного поля; на вертикальну – напруга  з конденсатора . Для отримання напруги, пропорційної індукції, необхідно проінтегрувати ЕДС, індуцирійне у вторинній обмотці. Для цього в ланцюг вторичної обмотки вводять інтегруючу RC – ланцюг. При дотриманні умови  напруга на конденсаторі С буде рівна:

                                                 (7.12)

тобто його миттєве значення пропорційне миттєвому значенню індукції в зразку;

S –  площа поперечного січення зразка.

У результаті складення коливань на екрані осцилографа отримуємо динамічну петлю гістерезису.

Геометричне місце точок вершин гістерезисних циклів дає основну криву намагнічування. Магнітна проникливість визначається як відношення індукції до напруги магнітного поля на цій кривій.

Параметри вимірювальної схеми:

        R1=100 Oм;  R2=12 кОм;  С=1.5 мкФ.

Параметри досліджуваних зразків приведені на рис. 7.4 і в табл. 7.1.

                                             dн