Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни "Матеріали мехатронних пристроїв", страница 11

 3.4 Порядок виконання роботи і методичні вказівки з ії виконання

1. Задані значення тиску на поверхні пластини п’єзоелектрика Р і розрахункові значення напруги на контактах динамічної головкиUд заносимо в табл. 8.1. Діапазон напруги на контактах динамічної головки визначаємо за формулою:

                                       Р[Па]=Uд,                                                  (3.3)

де Uд – напруга на контактах динамічної головки, В;

Р – тиск на поверхні пластинип’єзоелектрика. Па.

Таблиця 3.1 – Результати вимірів

2.   Побудувати графічну залежність напруги на поверхнях п’єзокерамічної пластини від тиску.

3. Оформити звіт з лабораторної роботи.

3.5 Зміст звіту

Звіт повинен вміщати:

-  титульну сторінку;

-  мету роботи;

-  теоретичну частину;

-  експериментальну частину;

-  висновок.

У теоретичній частині приводяться поняття й основні властивості об’єкта дослідження. В експериментальній частині приводяться:

а) склад експериментальної установки;

б)      порядок виконання роботи;

в) таблиця результатів виміру;

г) графічна залежність напруги між поверхнями п’єзокерамічної пластини від тиску.

Звіт оформляється у відповідності з вимогами ДСТУ 3008-95.

3.6 Контрольні запитання і завдання

1.  Дайте визначення поняттю «Діелектрик».

2.  Наведіть класифікацію діелектриків.

3.  Дайте визначення поняттю «Активний діелектрик».

4.  Наведіть класифікацію активних діелектриків.

5.  Дайте визначення поняттю «П’єзоелектрик».

6.Дайте визначення поняттю «Прямий і зворотній п’єзоефекти».

7.Дайте визначення поняттю «Поперечний і повздовжній п’єзоефекти».

8.Наведіть умови існування прямого і зворотнього п’єзоефектів.

9.Наведіть залежність напруги на поверхнях п’єзоелектрика від тиску.

10. Наведіть залежність значення лінійного розміру п’єзоелектрика від напруги електричного поля.

11. Перерахуйте матеріали, із яких виготовляють п’єзоелектрики.

12. Перерахуйте області застосування п’єзоелектриків.

4 ДОСЛІДЖЕННЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИКІВ, ЯКІ ВИКОРИСТОВУЮТЬСЯ У ВИРОБНИЦТВІ

ЕЛЕКТРОННИХ АПАРАТІВ

4.1 Мета роботи

Вивчення основних електричних властивостей сегнетоелектриків; залежності діелектричної проникливості від напруженості електричного поля; залежності діелектричних втрат сегнетоелектриків від прикладеної напруженості; залежності діелектричної проникливості від температури.

4.2 Методичні вказівки з організації самостійної роботи студентів

Перед виконанням лабораторної роботи студент повинен:

-  вивчити викладений у методичних вказівках спосіб визначення залежностей Е і tg від зміни температури для сегнетоелектриків;