Рисунок 3. Иллюстрация эффекта захвата ионов Не на Cr/W границе, препятствующего формированию газовых пузырьков [31]
Анализ литературных данных позволяет заключить, что наноматериалы при условии оптимизации их состава и структуры демонстрируют более высокую радиационную стойкость, по сравнению с их крупнокристаллическими аналогами. Задача установления роли размерных эффектов и поверхностей раздела, выявления особенностей протекания процессов аморфизации и рекристаллизации, образования и взаимодействия дефектов, распада и взаимодействия компонентов в наноматериалах требует дальнейших теоретических и экспериментальных исследований, направленных на поиск оптимальных радиационно-стабильных наноструктур.
ГЛАВА 1. ИЗУЧЕНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ, ПРОИСХОДЯЩИХ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ УСКОРЕННЫХ ИОНОВ С НАНОКОМПОЗИТНЫМИ МАТЕРИАЛАМИ
1.1. Пробеги заряженных частиц в материалах
Пусть ион химического элемента с атомным номером Z1, массой m1 и энергией E0 влетает в мишень, которая состоит из атомов химического элемента с атомным номером Z2, массой m2 и пороговой энергией смещения Ed. Закон сохранения энергии для данного процесса может быть записан следующим образом:
, (1)
где υ(t) – скорость движения иона в материале в момент времени t на расстояниях x(t) от поверхности образца (направление движения свободного иона перпендикулярно поверхности), E(t) – потери энергии иона при его торможении на участке x(t).
Дифференцируя (1) по времени можно получить уравнение движения иона в материале:
, (2)
Удельные потери энергии иона в материале можно выразить следующей формулой:
, (3)
где Sn – тормозное сечение, характеризующее потери энергии иона на упругие столкновения, Se– сечение торможения, характеризующее неупругие потери энергии (взаимодействие с электронной подсистемой), N – концентрация атомов мишени, .
Из уравнения (2) с учетом (3) следует закон движения x(t):
, (4)
Где , c(t-t) – функция Хевисайда.
На расстоянии L = x() имеет место остановка иона в материале. Время определяется из условия () = 0.
, (5)
В современной радиационной физике сечения Sn, и Se с высокой степенью точности рассчитаны для широкого диапазона энергий E0, масс налетающих ионов и атомов мишени, значений Z1и Z2и других параметров процесса торможения. Учитывая статистический характер движения иона в веществе его реальным пробегом считается величина Lp, которая может быть оценена из следующего выражения [34]:
, |
(6) |
Очевидно, что в действительности около Lp имеет место статистический разброс пробегов, установить точный закон которого на сегодняшний день пока не представляется возможным. Обычно на практике в случае ионной имплантации пользуются распределениями Гаусса, Пирсон-IV и др.
Оценки пробегов ионов по формуле (6) в определенном интервале значений E0, m1, m2, Z1, Z2дают удовлетворительное согласие с экспериментом.
При торможении иона в твердом теле идет сложный процесс передачи его энергии электронной и решеточной системам, в результате чего формируются каскады смещений атомов. «Родоначальником» каждого каскада является первично выбитый атом. Совокупность каскадов образует в свою очередь трек. Процессы же дефектообразования определяются в первую очередь значением пороговой энергии смещения атомов из узлов решетки.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.