Схемотехника: Лабораторный практикум, страница 7

2.1. Исходные данные

1. В лабораторной работе рассчитываются, монтируются и исследуются 3 схемы усилителей на биполярном npn-транзисторе типа ВС547. Расположение выводов и другие справочные данные по транзистору приведены в приложении.

2. Синусоидальное входное напряжение для исследуемых усилителей снимается с выхода генератора специальных сигналов.

3. Контроль режимов работы по постоянному току производится с помощью мультиметра. Форма и амплитуда переменных входных и выходных сигналов контролируется осциллографом.

4. Для питания усилителей следует использовать стабилизированное напряжение Uп = +12 В.

2.2. Основные теоретические сведения

Два исследуемых усилителя выполнены по схеме с общим эмиттером (рис. 2.1, аб), а третий (эмиттерный повторитель) – по схеме с общим коллектором (рис. 2.1, в). Все усилители должны работать в режиме класса А. Если бы падение напряжения на транзисторе, работающем в активном режиме, могло изменяться от Uп до нуля, то максимальный размах переменного выходного сигнала был бы достигнут, когда падение напряжения коллектор–эмиттер (Uкэ) в отсутствие входного сигнала (Uвх = 0), называемое точкой покоя или исходной рабочей точкой (ИРТ), равно Uп/2. Реальный биполярный транзистор может работать в активном режиме при напряжениях Uкэ более 1В. Таким образом, максимальная амплитуда неискаженного сигнала обеспечивается на выходе транзисторного усилителя, если в точке покоя Uкэ будет составлять немногим более (Uп/2). Примем для определенности  Uкэ в ИРТ равным + 7 В при  Uп = 12 В.

Выходной ток транзисторного усилителя зависит от мощности, которую следует отдавать в нагрузку. Пусть в проводимых исследованиях ток коллектора Iк при Uвх = 0 будет невелик, например Iк = 5 мА.

В схеме (рис. 2.1, а) исходная рабочая точка транзистора Uкэ = 7 В задается током базы Iб с помощью балластного резистора, включенного между базой и плюсом источника питания.

Рис. 2.1. Схемы усилителей на биполярных транзисторах:

а – с балластным резистором в цепи базы ; б – с делителем в цепи базы и эмиттерным       резистором;  в – с общим коллектором (эмиттерный повторитель)

Из заданного значения Uкэ = 7 В при Uвх = 0 и Iк = 5 мА однозначно вытекает  необходимое  значение  сопротивления  Rк,  а  также  необходимый  ток  базы Iб:  

                         ;               ,                         (2.1)

где β – коэффициент усиления транзистора по постоянному току.

Тогда, необходимое сопротивление резистора в цепи базы равно:

   ּ                                       (2.2)

Допущение, сделанное в формуле (2.2), вполне оправдано, так как        Uп  >> Uбэ (Uбэ ≈ 0,65В) и, кроме того, β задается в справочной литературе неточно, с большими пределами допустимых значений. Это вынуждает дополнительно производить подстройку схемы, и, следовательно, проведение более точного расчета элементов схемы оказывается бессмысленным.