Схемотехника: Лабораторный практикум, страница 42

Транзистор BC557 (pnp)

Основные параметры транзистора BC557

Обозн.

(Symbol)

Параметр

(Parameter)

Условия

(Conditions)

Мин.(Min)

Макс.(Max)

Ед. изм. (Unit)

Uкб

(VCBO)

Напряжение коллектор–база

(Collector–base voltage)

Открытый эмиттер

(open emitter)

-50

B

(V)

Uкэ

(VCEO)

Напряжение коллектор–эмиттер

(Collector-emitter voltage)

Открытый эмиттер

(open emitter)

-45

B

(V)

Uэб

(VEBO)

Напряжение эмиттер–база (Emitter-base voltage)

Открытый коллектор

(open collector)

-5

B

(V)

Iк

(IC)

Постоянный ток коллектора 

(Collector current)

-100

мА (mA)

Iб max

(IBM)

Амплитуда тока базы

(Peak base current)

-200

мА (mA)

Pк

(Ptot)

Рассеиваемая мощность  (Total power dissipation)

tamb ≤ 25 °C

500

мВт (mW)

h21Э (hFE)

Статический коэффициент передачи

(Current gain)

IC = -2 мA;

VCE = -5 В

125

800

tокр

(tamb)

Температура окружающей среды

(Operating ambient temperature)

-65

150

°C