Схемотехника: Лабораторный практикум, страница 44

Транзистор BD140 (pnp)

1 эмиттер

2 коллектор, соединенный с металлической частью корпуса

3 база

 
 

Основные параметры транзистора BD140

Обозн.

(Symbol)

Параметр

(Parameter)

Условия

(Conditions)

Мин. (Min)

Макс. (Mаx)

Ед. изм. (Unit)

Uкб

(VCBO)

Напряжение коллектор–база

(Collector–base voltage)

Открытый эмиттер

(Open emitter)

-100

B

(V)

Uкэ

(VCEO)

Напряжение коллектор–эмиттер

(Collector-emitter voltage)

Открытая база

(Open base)

-80

B

(V)

Uэб

(VEBO)

Напряжение эмиттер–база (Emitter-base voltage)

Открытый коллектор

(Open collector)

-5

B

(V)

Iк

(IC)

Постоянный ток коллектора 

(Collector current)

-1.5

А

(A)

Iк max

(IKM)

Амплитуда тока коллектора

(Peak base current)

-2

А

(A)

Iб max

(IBM)

Амплитуда тока базы

(Peak base current)

-1

А

(A)

Pк

(Ptot)

Рассеиваемая мощность  (Total power dissipation)

tamb ≤  70 °C

8

Вт (W)

h21Э

(hFE)

Статический коэффициент передачи

IC = -150 мA;

VCE = -2 В

63

250

tокр

(tamb)

Температура окружающей среды

(Operating ambient temperature)

-65

150

°C