Схемотехника: Лабораторный практикум, страница 41

Маркировка конденсаторов

При расчетах в системе СИ емкость конденсатора выражают в фарадах (Ф). Реальные конденсаторы обычно имеют емкость, составляющую миллиардные, миллионные или тысячные доли фарады. Поэтому для маркировки их емкости используются производные единицы: пикофарады (1 пФ = 10─12 Ф), нанофарады (1 нФ = 1000 пФ = 10─9 Ф) и микрофарады (1 мкФ = 1000 нФ = 10─6 Ф). Наиболее часто емкость указывают на корпусе конденсатора в непосредственном виде, например: 510 пФ; 15 нФ; 0,022 мкФ; 100 мкФ. На зарубежных конденсаторах эти же номинальные значения имеют следующую маркировку: 510 pF; 15 nF; 0,022 μF; 100 μF. На микроминиатюрных конденсаторах принято не указывать единиц измерения; их емкость всегда выражают в пикофарадах числовым кодом, в котором первые две цифры являются значащими, а последняя цифра указывает степень N множителя 10N. Например, маркировка «102» на корпусе конденсатора означает емкость 10∙102 пФ = 1000 пФ, а  «223» означает 22∙103 пФ  = 22000 пФ = 22 нФ или 0,022 мкФ.

Транзистор BC547 (npn)

Основные параметры транзистора BC547

Обозн.

(Symbol)

Параметр

(Parameter)

Условия

(Conditions)

Мин. (Min)

Макс. (Mаx)

Ед. изм. (Unit)

Uкб

(VCBO)

Напряжение коллектор–база

(Collector–base voltage)

Открытый эмиттер

(Open emitter)

50

B

(V)

Uкэ

(VCEO)

Напряжение коллектор–эмиттер

(Collector-emitter voltage)

Открытый эмиттер

(Open emitter)

45

B

(V)

Uэб

(VEBO)

Напряжение эмиттер–база (Emitter-base voltage)

Открытый коллектор

(Open collector)

6

B

(V)

Iк

(IC)

Постоянный ток коллектора 

(Collector current)

100

мА (mA)

Iб max

(IBM)

Амплитуда тока базы

(Peak base current)

200

мА (mA)

Pк

(Ptot)

Рассеиваемая мощность  (Total power dissipation)

tamb ≤  25 °C

500

мВт (mW)

h21Э

(hFE)

Статический коэффициент передачи

(Current gain)

IC = 2 мA;

VCE =5 В

110

800

tокр

(tamb)

Температура окружающей среды

(Operating ambient temperature)

-65

150

°C