Схемотехника: Лабораторный практикум, страница 45

Транзистор IRF540 (n–канальный MOSFET)

Основные параметры транзистора IRF540

Обозн.

(Symbol)

Параметр

(Parameter)

Условия

(Conditions)

Мин. (Min)

Макс. (Mаx)

Ед. изм. (Unit)

IC

(ID)

Постоянный ток стока

(Continuous drain current)

TC = 25 °C

22

A

ICmax

(IDM)

Импульсный ток стока

(Pulsed drain current)

88

A

UЗИ

(VGS)

Напряжение затвор–исток (Gate-to-source voltage)

±20

B

(V)

UCИmax

(VDSS(BR))

Максимальное напряжение сток-исток

(Drain-to-source breakdown voltage)

UЗИ = 0 В;

IC = 250 мкА

100

B

(V)

UЗИmax

(VGS(th))

Максимальное напряжение затвор-исток

(Gate threshold voltage)

UЗИ = U;

IC = 250 мкА

2

4

B

(V)

Rканала

(RDS(ON))

Сопротивление канала в открытом состоянии

(Static drain-to-source on-resistance)

UЗИ = 10 В;

IC = 11 А

0.077

Ом

(W)

Pк

(Ptot)

Рассеиваемая мощность  (Total power dissipation)

TC = 25 °C

85

Вт (W)

tокр

(tamb)

Температура окружающей среды

(Operating ambient temperature)

-55

175

°C