Уравнение (30) решено аналитически и численно лишь для наиболее простых случаев. Показано, что при низких давлениях (Q0pd<<1) электронный ток диода при наличии ионов связан с напряжением соотношением I = PU3/2. Отношение, р/р0, где P0 – первеанс вакуумного диода, зависит от особенности источника ионов в диоде. Увеличение ионного тока вызывает стягивание поля к катоду и приводит к росту параметра γ0 = (dje/dji). Этот параметр выражается количеством электронов, которое дополнительно может пропустить диод при появлении в нем одного иона. Рост γ0 объясняется увеличением среднего времени жизни иона в промежутке и уменьшением времени пролета электронов в результате искажения ионами распределения поля по сравнению с распределением U=Ua(x/d)4/3 в вакуумном диоде.
При росте интенсивности источника ионов, например за счет повышения давления газа, ток протекает устойчиво до тех пор, пока в диоде не нарушится монотонное распределение потенциала. Предельный режим, которому соответствует максимальное значение первеанса Рмакс, возникает при снижении напряженности поля до нуля в некоторой области межэлектродного промежутка за исключением катода [(dU/dz)=0, z ≠ 0]. Положение этой области зависит от источника ионов. Результаты анализа предельного токопрохождения в плоских диодах при нулевой напряженности поля на катоде и в сферическом диоде приведены в табл. 2.
Как следует из данных, приведенных в табл. 2, предельное значение первеанса меняется в значительных пределах, которые можно расширить при определенных условиях образования юное, например, изменяя распределение плотности газа в диоде.
Влияние ионизации на положение эмиттирующей плазменной поверхности. В диоде с фиксированным межэлектродным расстоянием и неограниченной эмиссионной способностью катода
Таблица 2.
Условия образования ионов |
Граничные условия |
Pмакс/P0 |
Литература |
ji = const |
при ji=0; z=d при (je/ji) =1 |
1,86 |
[13] |
Qe0 = const |
(dU/dz) = 0, z=d |
5,55 |
[14] |
Qe0 = α(U-Ui) Uα = l,09 Ui Uα = 3,19 Ui |
(dU/dz) = 0, z=d |
2,03 2,96 |
[15] |
Qe0 = (Q0Ui/Uz)·[1 - Ui/Uz] |
(dU/dz) = 0, z≠d |
3 |
[16] |
n(z)=Nδ(z-zB) Qe = Qe (U, Ui) |
4,6 zB = 0,4d |
[17] |
|
Ii = const |
(rk/ra) = 1,05 (dU/dr) = 0 (rk/ra) = 10 (rk/ra) = 500, r = ra |
1,86 5,99 360,8 |
[18] |
появление ионов вызывает увеличение электронного тока, при котором у катода восстанавливается напряженность поля, равная нулю. В диоде с плазменным эмиттером, обладающим постоянной эмиссионной способностью, возникновение ионов должно привести к дополнительному разделению зарядов в плазме и расширению Слоя пространственного заряда, при котором напряженность поля на границе плазма –слой принимает значение, равное нулю.
С повышением давления эмиттирующая граница плазмы удаляется. В качестве ПИЭЛ использовали дуоплазматрон с накаленным катодом. Электроны извлекались из плазмы, проникающей изразряда в экспандер. Фокусировка пучка оценивалась током утечки на извлекающий электрод. Фокусировка улучшалась при увеличении не только напряжения, но и давления аргона в пространстве дрейфа пучка. Последний эффект объясняется увеличением вогнутости эмиттирующей поверхности плазмы при ее удалении вглубь экспандера под действием ионного потока, образующегося в результате ионизации газа электронным пучком.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.