Осциллограммы тока на анод и коллектор ПИЭЛ (см. рис.
58) показаны на рис. 59. На рис. 61 дана зависимость усредненной по многим
импульсам амплитуды первого всплеска тока на коллектор от амплитуды напряжения
в стадии предразрядных импульсов. Ток подчиняется закону «степени 3/2», при
этом первеанс ПИЭЛ составляет: Р=3,14∙10
-6 А/В
3/2 при
Rп=2 кОм и
Р=1,63∙10
-6 А/В
3/2
при
Rп=10 кОм.
Экспериментальные значения первеанса на порядок превышают величины,
рассчитанные при допущении, что эмиттирующая плазма полностью заполняет
формирующий цилиндр, и более чем на два порядка величины, полученные при
допущении, что эмиттирующая поверхность ограничена кольцевой областью между
катодом и поджигающим электродом.
Магнитное поле оказывает существенное влияние на токопрохождение в ПИЭЛ и
развитие разряда в ускоряющем промежутке. При этом основное значение
приобретает поле в области катода. В отсутствие поля развитие разряда
ограничивается стадией предразрядных импульсов. Увеличение магнитного поля
приводит к возникновению стадии газосфокусированного луча, значительному
улучшению токопрохождения через отверстие в ускоряющем электроде (до 95%) и
развитию низковольтной фазы разряда.
ПИЭЛ обеспечивает значительные токи (до 220 А)
при полном ускоряющем напряжении лишь непродолжительное время (~2∙10-7
с). Уменьшение начального давления, тщательное обезгаживание электродов и
использование больших сопротивлений в цепи поджигающего промежутка приводит к
затягиванию стадии предразрядных импульсов и сохранению напряжения в течение
длительного времени вплоть до нескольких миллисекунд, однако при этом
импульсные электронные токи оказываются малыми и не превосходят нескольких
ампер.
Для получения значительных токов большой
длительности предложено увеличить эмигрирующую плазменную поверхность
посредством одновременного использования большого числа поджигающих
промежутков. Схема ПИЭЛ с мультикатодом, включающим одиннадцать поджигающих
промежутков, показана на рис. 62. Мультикатод образован собственно катодом в
виде танталового диска с одиннадцатью отверстиями диаметром 1,6 мм и
молибденовыми поджигающими электродами диаметром 0,8 мм, расположенными по оси
катодных отверстий. Поджигающие электроды включаются в цепь через отдельные
сопротивления RП, равные 2 кОм. Давление в ПИЭЛ составляет 5∙10-6—
5∙10-5 мм рт. ст.
При срабатывании разрядника Р катод
ПИЭЛ оказывается под высоким отрицательным потенциалом по отношению к
ускоряющему и поджигающему электродам. При этом происходит последовательный
пробой всех поджигающих промежутков. Максимальный разброс моментов пробоя
поджигающих промежутков составляет 1,7∙10-6 с, однако обычно он
намного меньше.
Ток в цепи поджига и ток на ускоряющий
электрод в ПИЭЛ с мультикатодом пропорциональны числу включенных поджигающих промежутков.
При включении всех одиннадцати промежутков и
напряжении U0=30 кВ амплитуда
тока на стадии предразрядных импульсов составляет I1=15 А при длительности этой стадии t1=2∙10-5 с и I1=160 А при t1=4∙10-7 с. При работе двух поджигающих
промежутков получен пучок с током I1=7 А длительностью
более 8∙10-5 с. Эффективность извлечения электронов из плазмы
составляет 30%.
Способ получения сильноточных электронных пучков с
помощью плазмы вакуумных искр нашел дальнейшее развитие в работах А. А. Плютто
и других которые применили в ПИЭЛ искровой разряд в вакууме по поверхности
диэлектрика. Схема электродов и электрического питания такого ПИЭЛ, имеющего
разрядную камеру с шестью искровыми промежутками, приведена на рис. 63.
Искровой разряд возбуждается по внутренней поверхности фарфоровых трубок
3
между электродами
1 и
4. В медных электродах
1 имеются
каналы, в которые помешается рабочее вещество
2 (органическое стекло).
Плотная плазма образуется в парах рабочего вещества, испаряющегося во время
разряда, и через отверстия диаметром 4 мм в электроде
4 проникает в
пространство между электродами
4 и
5. Электроны отбираются с
развитой поверхности плазмы и ускоряются напряжением, приложенным между
электродами
4 и
5. Выходное отверстие диаметром 35 мм в
ускоряющем электроде закрыто сеткой с прозрачностью 66% Питание разрядной
камеры осуществляется от конденсаторов
С1—
С6
емкостью по 0,03 мкФ через резистор
R4=3÷5 Ом. Ускоряющее
напряжение подается через
С7=0,07 мкФ. Сопротивление
R2=1—5 Ом ограничивает ток при пробоях.