3. Составить физическую эквивалентную схему транзистора и определить значения ее элементов в заданной рабочей точке.
4. Рассчитать входное сопротивление и модуль крутизны транзистора на заданной частоте.
Указания к решению
Для решения этой задачи рекомендуется изучить [2, с.312-322; 3, с. 183-211; 4, c.342-357, 414].
При построении выходных характеристик Ic=f(Uси) приUзи =const учтите, что описывающие их выражения до режима насыщения и в режиме насыщения различны.
Передаточные характеристики транзистора Ic=f(Uзи) при Uси =const описывают квадратичной зависимостью [4, формула 13-13].
Входная емкость 9 пФ, проходная -1, 5 пФ, выходная - 6 пФ.
Предельные эксплуатационные параметры: ток стока 60 мА, напряжение сток-исток и затвор-исток 10 В.
Удельную крутизну
транзистора 
определяют по формулам
 |
Характеристики строят по точкам, рассчитанным через 1 В, в пределах всей рабочей области.
На семейство выходных характеристик наносят линию, отделяющую область режима насыщения.
При построении эквивалентной схемы можно пренебречь влиянием подложки и омической проводимостью затвора. Значение крутизны в заданной рабочей точке определяют графически.
Входное сопротивление и модуль крутизны транзистора на высоких частотах вычисляют по формулам
где k=wrи Сзи ; rи-сопротивление истока; So -значение крутизны на низких частотах; w - угловая частота переменного напряжения.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.