Электроника (часть I), программа, методические указания и контрольные задания, страница 11

Ключевой режим работы транзисторов. Переходные процессы               в биполярных транзисторах. Временные характеристики транзистора.

Основные методы изготовления транзисторов. Планарная,

эпитаксиальная, сравнительная характеристика эксплуатационных параметров транзисторов, изготовленных по этим технологиям. Разновидности транзисторов. Транзисторы высокочастотные и СВЧ диапазона, особенности их структуры и конструкции. Перспекти­вы развития.

Шумы биполярных транзисторов.

Условные и графические обозначения.

Литература [1, с. 140-204; 2, с. 192-278;3, с.93-175; 4, c.247-278 ].

Методические указания

Устройство биполярного транзистора, принцип действия и основные режимы   работы описаны в учебниках [1, с.140-161; 3, с.93, 94, 98-102]. При изучении работы транзистора необходимо ознакомить­ся с механизмом токопрохождения и энергетическими диаграммами, рассмотреть основные схемы включения транзистора с общей базой и общим эмиттером, а также режимы его работы (насыщения, отсечки, активный и инверсный), которые определяются включени­ем переходов. Особое внимание следует уделить механизму движе­ния неосновных носителей в базе транзистора, а также его уси­лительным свойствам.

Подробно изучите статические характеристики транзистора при включении с общей базой и общим эмиттером [1, с.165-171; 3, с. 109-116]. Следует усвоить, что от схемы включения механизм работы прибо­ра не зависит. На работу транзистора влияет температура полу­проводникового кристалла, поэтому необходимо рассмотреть тем­пературный дрейф статических характеристик транзистора при включении с общей базой и общим эмиттером.

По учебникам [1, с.161-165; 3, с.I04-108] изучите основные физические    параметры транзистора, уясните их связь с процессами, проис­ходящими        в приборе.

Малосигнальный режим позволяет рассматривать транзистор как линейный элемент и использовать для анализа и расчета це­пей линейные методы (матричные, методы эквивалентных схем, ориентированных графов, а также метод четырехполюсника) [1, с.171-176; 3, с.129-I39]. Эквивалентные схемы транзистора, являющиеся схемами замещения, математически моделируемыми одной из систем уравнений четырехполюсника,                     и физическая эквивалентная схема, элементами которой являются физические параметры тран­зистора, описаны в учебниках [1, с.176,179-185; 3, с.140-148]. Изучая эквивалентные схемы транзистора при включении              с общей базой и общим эмиттером, необходимо понять, как они составляются (по физическим параметрам транзисторов). Необходимо научиться оп­ределять   h-параметры транзистора по его характеристикам             и уяснить связь между h-параметрами и физическими параметра­ми транзистора, а также между h-параметрами в трех схемах включения: ОБ, ОЭ, ОК. Значения всех параметров транзистора зависят от режима работы по постоянному току (от положения ра­бочей точки на семействе характеристик) [3, с.116-119; 4, с.333] и от температуры [1, с.161-165,171; 3, с. 131-132; 4, с.333-336].