Электроника (часть I), программа, методические указания и контрольные задания, страница 10

9. Какие диоды (германиевые или кремниевые) могут рабо­тать при более высокой температуре?

10. Какие диоды (плоскостные или точечные) чаще использу­ются как импульсные?

11. Объясните принцип работы ДНЗ.

12. Постройте энергетические диаграммы р-i-n-диода и объясните принцип его работы.

13. Объясните принцип работы варикапа. При каком смещении перехода используются варикапы?

14. Объясните принцип работы туннельного диода. Почему для изготовления туннельных диодов необходим высоколегированный полупроводник?

15. Почему обратный ток туннельного диода больше прямого тока при одинаковой величине прямого и обратного напряжений?

16. У каких диодов (туннельных или выпрямительных) изменение температуры сильнее влияет на ВАХ? Почему?

17. Нарисуйте и объясните вольтамперную характеристику обращенного диода.

18. Какие преимущества имеют диоды с барьером Шоттки пе­ред диодами на p-n-переходах?

19. Каким образом можно изменить напряжение включения двухбазового диода?

20. Чем определяются ключевые свойства двухбазового дио­да?

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Устройство, режим работы, принцип действия. Энергетическая диаграмма. Физические процессы, их особенности. Протекание то­ка               в транзисторе. Коэффициенты инжекции, переноса, умножения и передачи тока. Тепловой ток коллектора. Схемы включения транзисторов. Статические характеристики транзистора в различных схемах включения. Влияние температуры на статические характеристики.

Физические параметры транзистора. Транзистор как линейный четырехполюсник. Малосигнальные параметры транзистора, физический смысл h-параметров и их определение по статическим характеристикам транзистора. Формальные и физические эквивалентные схемы транзистора. Связь между параметрами транзистора. Зависимость параметров от режима работы транзисторов и температуры.

Максимальные параметры транзистора. Работа транзистора                    с нагрузкой. Усилительные свойства транзисторов. Сравнительный анализ транзисторов при трех схемах включения: общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК).

Частотные свойства транзисторов, физические явления, определяющие быстродействие транзистора. Коэффициенты передачи тока эмиттера и тока базы на высокой частоте. Эквивалентная схема транзистора для высоких частот. Предельные и граничная частоты, максимальная частота усиления по мощности.