Электроника (часть I), программа, методические указания и контрольные задания, страница 26

 Таблица 3

Примечание.   e = 1,6×10^-19 Кл;   К=1,38×10^-23 Дж/К.

При выполнении п.2 сопротивление базы полагается независи­мым от

протекающего тока и рассчитывается по формуле

                                          

где  -удельная электропроводность базы.

При расчете теплового тока (п.3) необходимо обратить вни­мание на  тол-

щину базы WБдиода, которая определяет исход­ную расчетную формулу:

Дифференциальное сопротивление определяют, задаваясь малы­ми при-

ращениями ∆U, в пределах которых участок вольтамперной характеристики

можно аппроксимировать прямой линией.

Литература [3, с.29-69; 4, c.180-262].

Задача 2

Биполярный транзистор, включенный в схему с общим эмиттером, работает в динамическом режиме с активной нагрузкой   R в выходной цепи. Заданы: тип транзистора, напряжение источника питания коллекторной цепи Е_k, рабочая точка I_Б0, U_КЭ0    и амплитуда переменной составляющей входного тока Ј_БМ(табл. 4).

Требуется:

1. На семейство входных и выходных характеристик транзистора нанести рабочую точку, построить линию нагрузки, отметить рабочий участок характеристики и определить сопротивление резистора нагрузки R, коэффициенты усиления по току Кi, по напряжению Кu, по мощности Кp, входное сопротивление Rвх, входную мощность Рвх, выходную мощность Pвых, мощность, выделяемую на транзисторе, Рk, КПД коллекторной  цепи    h.      

2. В заданной рабочей точке определить h -параметры транзистора         и аналитически рассчитать Ki, Кu, Кр, Rвх и Rвых .Сравнить эти значения        с аналогичными, полученными при графо-аналитическом расчете  (п.1).

3. Используя данные, полученные в п. 2, построить формальную модель транзистора как  четырехполюсника.