6. Все элементы схем вычерчивать в соответствии с ЕСКД.
7. Ссылки на используемую литературу приводить в прямых скобках, например [ 2, с. 25-30].
8. Если работа не зачтена, то исправления решения задач или их новое решение выполнять на чистых листах, вложенных в незачтенную работу, или в новой тетради, подшитой к старой. Исправленные работы посылают на повторную рецензию. Не допускается делать исправления в тексте и на полях.
9. В конце работы привести список использованной литературы, поставить свою подпись и число.
Для полупроводникового диода плоскопараллельной конструкции с короткой базой п-типа, толщина которой WБ= 0, 025 см, заданы барьерная емкость и площадь перехода, отличающиеся по вариантам (табл. 2). Материал диода определяется по предпоследней цифре зачетной книжки: для четной цифры и нуля рассчитывается германиевый диод; для нечетной - кремниевый. Основные параметры кремния и германия даны в табл. 3. Полагая р-n переход резким, несимметричным, требуется рассчитать:
1.Параметры р-n перехода при отсутствии внешнего напряжения и при комнатной температуре (Т = 300 К):
1.1 Контактную разность потенциалов jk.
1.2. Концентрацию примеси в базе диода Nд.
1.3. Толщину р-n перехода d .
2. Сопротивление базы rБ'.
3. Тепловой ток диода Iо.
Построить вольтамперную характеристику диода при комнатной температуре.
Графически определить дифференциальное сопротивление диода при токах
I = 1; 30 мА.
Указания к решению
Для решения задачи 1 рекомендуется проработать [3, с.29-69; 4, с.180-262].
При выполнении п. 1.1 обратите внимание на зависимость барьерной емкости резкого р-n перехода от величины приложенного напряжения. График зависимости 1 /СБ2 =f(U) представляет собой прямую линию, отсекающую на оси абсцисс отрезок, равный по величине контактной разности потенциалов jk. Для построения линии 1/СБ2=f(U) используйте два значения барьерной емкости, заданные в табл. 2.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.