Электроника (часть I), программа, методические указания и контрольные задания, страница 12

Работа транзистора в высокочастотном и импульсном режи­мах определяется процессами движения, накопления и рассасыва­ния неосновных носителей заряда в базе [3, с. 134-140, 168-175; 4, с.323-333]. При изучении работы транзистора в области высоких частот и в ключевом режиме следует рассмотреть влияние на работу времени пролета неосновных носителей заряда и емкостей: барьерной и диффузионной. Надо понять, почему коэффициент усиления по току транзистора зависит от частоты и от напряже­ния на коллекторном переходе (эффект модуляции толщины базы или эффект Эрли), тока коллектора и температуры. Следует ус­воить, что такое предельные и граничная частоты.

Работая с транзистором, нужно помнить о его предельно допустимых параметрах. Изучите причины, ограничивающие максимальные мощность, напряжение и ток транзистора в стационарном и импульсном режимах. Научитесь определять по вольтамперным характеристикам транзистора и его максимальным параметрам об­ласть надежной и безопасной его работы. Изучите работу тран­зистора в режиме малых токов, напряжений                     и мощностей.

Рассматривая технологические процессы изготовления тран­зисторов, обратите основное внимание на планарную и эпитаксиальную технологию            и сравнительные характеристики транзисторов, изготовленных различными технологическими методами. Планарная технология позволяет получить достаточно высокочастотные транзисторы, имеющие малые обратные токи, стабильные парамет­ры в течение времени и в диапазоне температур. Изучите осо­бенности свойств дрейфового транзистора по [3, с.102-104 ].

Вопросы эксплуатации биполярных транзисторов в различных режимах и при различных схемах включения рассмотрены в учебниках [1, с.197-204,455-458; 3, с. 120-128, 148-157].

Вопросы для самопроверки

1. Пояснить устройство и принцип действия биполярного транзистора.

2. В какой из областей биполярного транзистора больше кон­центрация примесей: в области базы или в области эмиттера?

3. С какой целью площадь коллекторного перехода обычно де­лают    больше   площади эмиттерного перехода?

4. Построить плоскопараллельную модель биполярного транзистора           и показать на ней потоки носителей зарядов, протекаю­щие через эмиттерный и коллекторный переходы в активном режи­ме работы.