Электроника (часть I), программа, методические указания и контрольные задания, страница 29

Рис. 2. Входные (а) и выходные (б) характеристики транзистора ГТ 311Е в схеме с общим эмиттером

Рис. 3. Входные (а) и выходные (б) характеристики транзистора ГТ 320А в схеме с общим эмиттером

Рис. 4. Выходные (а) и входные (б) характеристики транзистора ГТ 322А в схеме с общим эмиттером

Рис. 5. Входные (а) и выходные (б) характеристики транзистора ГТ 403А в схемес общим эмиттером

Рис. 6. Входные (а) и выходные (б) характеристики транзистора ГТ 703А в схеме с общим эмиттером

Рис. 7. Входные (а) и выходные (б) характеристики транзистора КТ 601A в схеме с общим эмиттером

Рис. 8. Входные (а) и выходные (б) характеристики транзистора КТ 603А в схеме с общим эмиттером

Рис. 9. Входные (а) и выходные (б) характеристики транзистора КТ 802А в схеме с общим эмиттером

Рис. 10 Входные (а) и выходные (б) характеристики транзистора КТ 805А в схеме с общим эмиттером

Контрольное задание 2

Задача 1

Кремниевый полевой МДП транзистор с индуцированным каналом n-  типа обладает электрическими параметрами, указанными в табл. 5.

Требуется:

1. Рассчитать и построить семейство выходных характеристик транзистора для трех значений напряжения: U_ЗИ1= U_ЗИ0+ 2 В; U_ЗИ2= U_ЗИ0+ 4В; U_ЗИ3= U_ЗИ0+ 6 В.

2. Рассчитать и построить характеристику прямой передачи Ic=f(Uзи) при напряжении   Uси  = 10 В.