це не реальна мікросхема, а спосіб з’єднання елементів.
Для забезпечення Y=1, необхідно, щоб y1 = y2 = 1, тобто
Y = y1 & y2. Враховуючи, що
знаходимо:
( 2.19)
з якої витікає, що “монтажне” з’єднання елементів з відкритим колектором функціонує подібно логічному елементу I-АБО-НІ.
При використанні “монтажної” логіки необхідно слідкувати, щоб рівні логічної одиниці U1ВИХ і нуля U0ВИХ не виходили за межі використовуємих стандартних елементів. Так як ці рівні залежать від E, та R то величина останнього не може бути довільною. Опір R впливає також на величину потужності, що виділяється на вихідному резисторі, на величину затримки в схемі, на навантажувальну здібність. Тому величину R вибирають в обмеженому діапазоні опорів, мінімальне і максимальне значення яких знаходиться з допомогою формул:
RМІН = (Е – U0ВИХ)/( I0ВИХ - КВИХ×I0ВХ);
RМАКС = (Е – U1ВИХ)/( КВИХ×I1ВИХ - КВХ×I1ВХ),
де КВИХ – кількість об’єднаних виходів;
КВХ – кількість підключених входів.
Розрахункові параметри можна взяти з табл. 2.3.
Конкретне значення R вибирається з умови необхідної швидкодії та споживаємої потужності.
2.3.3. Мікросхеми КМОН структури
10.Інвертор КМОН. Мікросхеми КМОН використовують в якості базового логічного елемента інвертор, повна еквівалентна схема якого приведена на рис. 2.21. Безпосередньо функцію інвертора, аналогічну рис. 2.11 виконують транзистори VT1 та VT2. В кожному з станів інвертора один з транзисторів закритий, і прохідний струм практично рівняється нулю. Тому U1ВИХ » E; U0ВИХ » 0. Споживаєма потужність також практично рівна нулю, так як вхідний опір послідуючої мікросхеми, як навантаження інвертора, визначається величиною 1012-1014 Ом. Характерною особливістю КМОН інверторів якляється виключно висока температурна стабільність. Коливання температури в межах -55–+125°С приводять до зміни окремих параметрів ключа не більш ніж на 5% . В той же час вказані зміни температури приводять до зміни параметрів ТТЛ більш ніж на 40%.[6]
Суттєвий недолік КМОН інверторів полягіє в їх надзвичайній “чутливості” до статичної електрики. Фізично це явище пояснюється тим, що затвор розміщується на дуже тонкому шарі діелектрика (товшина біля 1мкм), який одночасно являється ізоля-ційним матеріалом в паразитній
Рис.2.21. ємності С (рис. 2.21) між затвором та підкладкою. Дуже мала ємність конденсатора (С=2-15пф в залежності від серії) приводить навіть при невеликих накопичуваємих зарядах, яким нікуди стікати, до високих пробивних напруг. Діоди на вході та виході ключа призначені для захисту інвертора. Діоди VD1-VD3 захищають ізоляцію затвору від пробою. Діод VD1 (лавинного типу) має пробивну напругу 25 В, а VD2 і VD3 – 50 В. Послідовний резистор R=200 Ом – 2к. не допускає швидких змін напруги на конденсаторі С, захищаючи тим самим попередній каскад від імпульсних навантажень. Діоди VD4-VD6 захищають вихід інвертора від можливого пробою. Діод VD4 має пробивну напругу 50 В, VD5 – 25 В. Діод VD6 захищає ключ від можливої зміни полярної напруги.
Охоронні діоди VD2, VD3 разом з діодами VD4, VD5 створюють діодний міст, в діагоналі якого знаходиться джерело живлення. Всі діоди будуть знаходитися в закритому стані до того часу, пока напруга між виходом та входом не перестане задовільняти умові:
- 0.7 В £ Uвх £ + 0.7 В (2.20)
Якщо вхідна напруга виходить за межі, визначені (2.20), то при низькому опорі джерела живлення струм через охоронні діоди може стати більшим максимально допустимого ІМАКС.Д=10 mA, що приведе до їх вигорання. Тому реально використовується обмеження величини струму на рівні 1 - 2 mA, що забезпечується установкою зовнішнього резистора RЗ. При цьому зросте постійна часу заряду вхідного конденсатора t = (R3+R)C, яка впливає на швидкість перемикання ключа.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.