Рис.2.18. на загальну шину. При цьому колектор VTI має потенціал близький до нуля. При наявності сигналу логічного нуля на одному з входів елемента на резисторі R4 також не буде надіння напруги. Це значить, що базові струми транзисторів VT2 та VT3 будуть мати нульове значення і транзистори знаходитимуться в закритому стані. Вихід мікросхеми буде знаходитись в так називаємому “висячому” стані, або Z-стані. Перевод мікросхеми в Z-стан означає, що шини, до яких приєднаний її вихід вільно можуть використовуватись іншими інформаційними пристроями. В той же час слід пам’ятати, що при Z=0 залишаються всі проблеми паралельного з’єднання виходів, тому при користуванні такими мікросхемами необхідно слідкувати, щоб при використанні загальної шини работа мікросхем була рознесена в часі.
Розглянемо тепер осбливості мікросхем ТТЛ з точки зору використання їх входів. Нерідко маємо таку ситуацію, що не всі входи мікросхеми використовуються і проєктанту необхідно приймати рішення, що з ними робити. Для прийняття рішення необхідно знати, що одиночний вхід має ємність 1.5-3.5 пф. Тому підключення великої кількості входів до виходу аналогічної мікросхеми буде приводити до підвищення загальної ємності, що, в свій час, буде приводити до підвищення t3.РС та збільшення потужності, що виділяється на мікросхемі. Тому запаралелення входів мікросхеми не рекомендується як по вказаним причинам, так і тому, що кожен вхід допоміжно навантажує попередню мікросхему. Рекомендується вільні входи підключати до джерела живлення через резистор, величина якого визначається вхідним струмом високого рівня І1ВХ. Іноді входи мікросхеми приєднують через резистор RЕ до загальної шини. В залежності від величини опору резистора падіння напруги на ньому від вхідного струму І0ВХ може сприйматися мікросхемою як логічний “0”, “1”, або може бути створений активний лінійний режим роботи логічного елемента. Величина опору, на якому забезпечується необхідна напруга UВХ знаходиться по формулі:
RE = UВХ×R1/ (EK –UБЕ –UВХ).
При малих значеннях RЕ, коли падіння напруги на ньому не перевищує рівня логічного нуля, поведінка мікросхеми відповідає сигналу U0ВХ. Величина RЕ може бути обчислена для конкретних типів мікросхем, R1 для яких може бути знайдена в довіднику. Для ІС серії К555 величина R1=20к. Величина UВХ < U0МАКС = 0.8 В (табл. 2.3). При UБЕ = 0.7 В знаходимо RЕ £ 4.5 к.
Для одержання гарантованого високого рівня UВХ >2.4В RЕ ³ 20к. Проміжні рівні опору можуть забезпечити активний режим логічного елемента.
Резистори на вході мікросхем іноді використовуються для виділення фронтів з вхідних імпульсів з допомогою диференцюючих RC компонентів. Необхідно знати ще про одну особливість використання ТТЛ ІС.
8. В ряді випадків появляється необхідність керувати від мікросхем роботою сигнальних ламп, світодіодів, реле, і тому подібне, які мають або інші робочі напруги, або споживаєму потужність, яка перевищує потужність виходів мікросхем. Для таких випадків використовуються спеціальні мікросхеми, які мають вихід транзистора з відкритим колектором (рис 2.19а). Величина струму колектора VT2, в залежності від типу мікросхем може мати значення в діапазоні 20 - 60 mA, що дає можливість ряд навантажень використовувати в схемах, приведених на рис. 2.19 б,в,г. При реалізації приведених схем необхідно правильно оцінювати суть реалізуємої логічної функції. Логічний елемент DD реалізує логічні операції 2І-НІ. Але якщо проектантом закладаєтся умова, що логічна одиниця визначається засвітченням лампи HL, світодіода HL, або спрацюванням реле F, то в такому випадку приведені схеми реалізують операцію 2І.
9.Логічні
елементи з відкритим колектором використовуються також для організації
“монтажної” логіки. Приклад такої схеми приводиться на рис. 2.20 а), а на рис.
2.20 б) умовне зображення монтажної логіки на схемах. Ромбик являється знаком
того, що
Рис.2.19.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.