· замість транзистора VT2 (рис.2.15) для підвищення навантажувальної здібності встановлюється транзисторна пара з включенням по схемі Дарлінгтона, а резистор R6 створює необхідну напругу на базі VT3 для його відкривання. Діод VD7, що знаходиться в цій частині схеми, дає можливість зменшити затримку вмикання схеми за рахунок використання частини енергії, що запасається в емності навантаження, для підвищення струму колектора VT1 в перехідних режимах.
В останніх розробках (серії К1531, К1533) між логічним елементом та вихідним каскадом з динамічним навантаженням встановлюється допоміжний каскад підсилення, що дозволяє знизити вхідний струм низького рівня, зафіксувати вхідну порогову напругу на рівні 1,5В. В ІС вказаних серій змінена технологія ви-готовлення транзисторів, що дозволило підняти межу їх рабочих частот до 5 ГГц.
Для оцінки технічних можливостей різних серій ІС використовується параметр, який називається енергією перемикання
А=tЗ.РС ×РСП, (нс×mВт=пДж) (2.18)
Де РCП – споживаєма потужність логічного елемента.
Параметр (2.18) дає можливість оцінити і єфективність вдосконалення технологій. Так, наприклад, за останні чверть століття параметр (2.18) зменшився з 120 – 140 пДж до 5 – 20 пДж.
В таблиці 2.1 приводиться порівняльна характеристика декількох сучасних технологій ТТЛ по головних параметрах і параметрах навантаження.
Табл.2.1.
СеріїТТЛ |
Параметри |
Навантаження |
|||||
TЗ.РС (нс) |
FМАКС (МГц). |
РСП . (mВт) |
Е(пДж) |
СН ( пф) |
RН ( кОм) |
Розшир. по виходу |
|
К531 |
30 |
125 |
20 |
60 |
15 |
0.28 |
10 |
К555 |
10 |
45 |
2 |
20 |
15 |
2 |
20 |
КР1531 |
2 |
130 |
4 |
12 |
15 |
0.25 |
10 |
КР1533 |
4 |
50 |
2 |
4 |
15 |
2 |
20 |
КР1530 |
1.5 |
200 |
22 |
33 |
- |
- |
40 |
Технічні характеристики витримуються при вказаних параметрах навантаження. 5.При підвищенні, наприклад ємності навантаження СН підвищується tЗ.РС Вказана величина СН може бути забезпечена при виконанні технологічних вимог виготовлення друкованих плат і при вказаній величині коефіциєнта розширення по виходу (коефіціент розширення по виходу інформує скільки входів мікросхем цієї ж серії допустимо підключати до виходу).
В табл. 2.2 приводяться пояснення основних параметрів для ТТЛ, а в табл. 2.3, їх числові значення для трьох основних серій.
U1вх |
Вхідна напруга високого рівня |
Значення вхідної напруги високого рівня на вході ІС |
U0вих |
Вхідна напруга низького рівня |
Значення вхідної напруги низького рівня на вх. ІС |
І1вх |
Вхідний струм високого рівня |
Значення вхідного струму при напрузі високого рівня на вході |
І0вх |
Вхідний струм низького рівня |
Значення вхідного струму при напрузі низького рівня на вході |
U0вих |
Вихідна напруга високого рівня |
Значення вихідної напруги високого рівня на вході ІС |
U1вих |
Вихідна напруга низького рівня |
Значення вихідної напруги низького рівня на вх. ІС |
І0вих |
Вихідний струм високого рівня |
Значення вихідного струму при напрузі високого рівня на вході |
І0вих(2) |
Вихідний струм в 2-стані ІС |
Значення вихідного струму при 2- стані ІС |
І0вих |
Вихідний струм низького рівня |
Значення вихідного струму при напрузі низького рівня на вході |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.