Аналоговые электронные устройства: Учебное пособие, страница 39

20. Малин Б. В., Сонин М. С. Параметры и свойств полевых транзисторов. - М.: Энергия, 1967.

Оглавление

ВВЕДЕНИЕ.. 3

1. ВЫБОР И ОБОСНОВАНИЕ СТРУКТУРНОЙ СХЕМЫ... 4

2. РАСЧЕТ БЕСТРАНСФОРМАТОРНЫХ ОКОНЕЧНЫХ КАСКАДОВ.. 29

2.1 . ОЦЕНКА      ДОПУСТИМОСТИ       РАССЕИВАЕМОЙ МОЩНОСТИ      Рк макс  НА  КОЛЛЕКТОРНОМ р-n  ПЕРЕХОДЕ ТРАНЗИСТОРА.. 29

2.2. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ РАСЧЕТ РЕЖИМА ДВУХТАКТНОГО ОКОНЕЧНОГО КАСКАДА С ТРАНЗИСТОРАМИ, ИСПОЛЬЗУЕМЫМИ В РЕЖИМЕ В.. 32

2.3. ДВУХТАКТНЫЙ БЕСТРАНСФОРМАТОРНЫЙ ОКОНЕЧНЫЙ КАСКАД С ОДИНОЧНЫМИ ТРАНЗИСТОРАМИ РАЗЛИЧНЫХ ТИПОВ ПРОВОДИМОСТИ.. 37

2.4. ДВУХТАКТНЫЙ БЕСТРАНСФОРМАТОРНЫИ ОКОНЕЧНЫЙ КАСКАД НА СОСТАВНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ.. 37

2.5. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ГАРМОНИК ДЛЯ ДВУХТАКТНОГО КАСКАДА С ТРАНЗИСТОРАМИ, ИСПОЛЬЗУЕМЫМИ В РЕЖИМЕ В (АВ) 40

3. ПРЕДОКОНЕЧНЫЙ КАСКАД.. 43

3.1. ПРЕДОКОНЕЧНЫЙ РЕЗИСТИВНЫЙ КАСКАД ОЭ.. 43

3.2. ПОРЯДОК РАСЧЕТА.. 45

4. РАСЧЕТ ЦЕПЕЙ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ.. 51

5. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.. 52

6. СХЕМЫ  ЦЕПЕЙ  ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ   ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО       РЕЖИМА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.. 54

7. РАСЧЕТ    ЦЕПИ      ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ       БИПОЛЯРНЫХ    ТРАНЗИСТОРОВ.. 57

7.1. ВЫБОР СХЕМЫ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ.. 57

7.2. РАСЧЕТ СХЕМЫ ЭМИТТЕРНОЙ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ.. 58

7.3. ОСОБЕННОСТЬ     РАСЧЕТА   СХЕМЫ  ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ МОЩНЫХ            ТРАНЗИСТОРОВ.. 59

7.4. РАСЧЕТ СХЕМЫ ЭМИТТЕРНО-КОЛЛЕКТОРНОЙ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ   60

7.5. РАСЧЕТ     СХЕМЫ      ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ      С      ФИКСИРОВАННЫМ     НАПРЯЖЕНИЕМ БАЗЫ.. 60

7.6. РАСЧЕТ СХЕМЫ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ КАСКАДНОГО УСИЛИТЕЛЯ.. 60

7.7. РАСЧЕТ ЦЕПЕЙ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ.. 61

8. ВЛИЯНИЕ      ТЕМПЕРАТУРЫ     НА      ХАРАКТЕРИСТИКИ     И       ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЖИМ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.. 62

9. СХЕМЫ ЦЕПЕЙ  ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО   РЕЖИМА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.. 63

10. РАСЧЕТ ЦЕПЕЙ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ   63

ПРИЛОЖЕНИЕ.. 66

Библиографический список.. 69



*  Если в качестве маломощных транзисторов могут быть использованы транзисторы выпускаемых промышленностью комплементарных пар, расчет можно вести по одному плечу (сложный эмиттерный повторитель).