. (3.3)
При использовании схемы, приведенной на рис. 29, нужно, чтобы
, (3.4)
где .
На основании выражений (3.3) или (3.4) падение напряжения на сопротивлении предоконечного каскада
или .
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора предоконечного каскада
, (3.5)
где коэффициент использования питающего напряжения
Требуемое напряжение смещения баз транзисторов оконечного каскада
или ,
в зависимости от применения одиночных или составных транзисторов (рис.28, 29).
Падение напряжения URБ ∑ реализуется посредством включения элементов параметрической термостабилизации (диоды или терморезистор).
Падение напряжения на сопротивлении RПОС цепи положительной обратной связи
.
Падение напряжения на сопротивлении коллекторной нагрузки
.
Очевидно, что должно быть выполнено равенство
.
Амплитуда общего коллекторного тока транзистора предоконечного каскада
.
Принимая приближенно
, , (3.6)
можно определить величину исходного коллекторного тока
,
где коэффициент использования питающего тока .
Определив величины и , следует проверить, выполняется ли неравенство
.
Тогда, имея в виду, что
,
а также на основании формул (3.1) и (3.3) можно выразить общее значение амплитуды тока в цепи коллектора предоконечного каскада через параметры оконечного каскада:
. (3.7)
Под током IBX m OK K здесь следует понимать амплитуду тока базы оконечного транзистора, имеющего тип проводимости, противоположный типу транзистора предоконечного каскада (в случае выполнения оконечного каскада по схеме Лина это относится к входным триодам составных транзисторов). Желательно, чтобы этот ток соответствовал большему из входных токов плеч оконечного каскада, что всегда может быть реализовано надлежащим выбором типа проводимости транзистора предоконечного каскада.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.