При выборе схемы термостабилизации следует учитывать, что чем лучше стабилизация, тем больше рассеивание мощности источника электропитания в цепях термостабилизации. В мощных усилителях в результате рассеивания значительной мощности в цепях термостабилизации повышается температура в корпусе усилителя и сдвигается интервал изменения температуры. Потери мощности в цепях термостабилизации зависят не только от схемы, но и от величины сопротивлений цепи. Поэтому нецелесообразно обеспечивать более жесткую термостабилизацию электрического режима транзисторов, чем это требуется условиями работы усилителя. Правильно рассчитанная цепь термостабилизации должна обеспечивать требуемую стабильность режима в заданном интервале температур при минимально возможной рассеиваемой мощности.
Исходными данными для расчета схемы эмиттерной термостабилизации (рис.36) являются координаты рабочей точки: постоянные токи коллектора базы , постоянные напряжения база-эмиттер и коллектор-эмиттер , коэффициент усиления постоянного тока , неуправляемый ток коллекторного перехода , тепловое сопротивление перехода транзистор-среда .
Порядок расчета:
1) выбирается величина падения напряжения в цепи эмиттера как -я часть напряжения на транзисторе. Величину рекомендуется выбирать в пределах 0,02-0,20 для транзисторов большой мощности и в пределах 0,1-1,0 для транзисторов малой мощности. Значение рекомендуется выбирать тем больше, чем больше диапазон рабочих температур и чем меньше допустимое изменение тока коллектора;
2) выбирается величина тока делителя , где коэффициент рекомендуется брать в пределах 1-3 для транзисторов большой мощности и в пределах 3-10 для транзисторов малой мощности;
3) вычисляются сопротивления цепи эмиттера и плеч базового делителя по формулам, смысл которых очевиден.
, (7.1)
, (7.2)
, (7.3)
- напряжение электропитания усилительного каскада. Значения , полученные для отдельных каскадов, служат для выбора напряжения источника электропитания всего усилителя. Для резонансных усилителей , для резисторных усилителей , величина определяется до заданному коэффициенту усиления каскада;
4) определяется отклонение температуры транзистора от нормальной:
; (7.4)
5) определяются параметры транзистора при изменении температуры на :
, (7.5)
где = 2,2 мВ/ °С для германия и 3 мВ/ °С для кремния;
- определяется по справочным данным транзистора или приближенно по формуле
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.