При выборе схемы термостабилизации следует учитывать, что чем лучше стабилизация, тем больше рассеивание мощности источника электропитания в цепях термостабилизации. В мощных усилителях в результате рассеивания значительной мощности в цепях термостабилизации повышается температура в корпусе усилителя и сдвигается интервал изменения температуры. Потери мощности в цепях термостабилизации зависят не только от схемы, но и от величины сопротивлений цепи. Поэтому нецелесообразно обеспечивать более жесткую термостабилизацию электрического режима транзисторов, чем это требуется условиями работы усилителя. Правильно рассчитанная цепь термостабилизации должна обеспечивать требуемую стабильность режима в заданном интервале температур при минимально возможной рассеиваемой мощности.
Исходными данными для расчета схемы эмиттерной термостабилизации
(рис.36) являются координаты рабочей точки: постоянные токи коллектора базы
, постоянные напряжения база-эмиттер
и коллектор-эмиттер
, коэффициент усиления постоянного
тока
, неуправляемый ток
коллекторного перехода
,
тепловое сопротивление перехода транзистор-среда
.
Порядок расчета:
1) выбирается величина падения напряжения в цепи эмиттера как -я часть напряжения на транзисторе.
Величину
рекомендуется
выбирать в пределах 0,02-0,20 для транзисторов большой мощности и в пределах
0,1-1,0 для транзисторов малой мощности. Значение
рекомендуется выбирать тем больше,
чем больше диапазон рабочих температур и чем меньше допустимое изменение тока
коллектора;
2) выбирается величина тока делителя , где коэффициент
рекомендуется брать в пределах 1-3
для транзисторов большой мощности и в пределах 3-10 для транзисторов малой мощности;
3) вычисляются сопротивления цепи эмиттера и плеч базового делителя по формулам, смысл которых очевиден.
, (7.1)
,
(7.2)
, (7.3)
- напряжение электропитания
усилительного каскада. Значения
,
полученные для отдельных каскадов, служат для выбора напряжения источника
электропитания всего усилителя. Для резонансных усилителей
, для резисторных усилителей
, величина
определяется
до заданному коэффициенту усиления каскада;
4) определяется отклонение температуры транзистора от нормальной:
; (7.4)
5) определяются параметры транзистора при изменении температуры на :
, (7.5)
где = 2,2 мВ/ °С для германия и 3 мВ/ °С
для кремния;
- определяется по справочным данным
транзистора или приближенно по формуле
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.