Аналоговые электронные устройства: Учебное пособие, страница 27

Если значение тока I_{Km ∑Э} , полученное из выражения (3.7) ( отличается от принятого в выражении(3.6)), больше чем на 10 %, нужно изменить соответствующим образом U_RK (за счет изменения U_{R ПОС} или U_{R Э} ) и R_K с тем, чтобы получить достаточно близкое совпадение результатов (3.6) и (3.7). Требуемая величина напряжения на выходе предоконечного каскада U_Km = U_{BX m OK K .}

В случае оконечного каскада на одиночных транзисторах требуемые входные напряжения плеч U_{BX m T1}  и U_{BX m T2}  , как указывалось, практически одинаковы, и расчетная величина U_{BX m OK K}  может быть найдена из выражения (3.3) для любого из плеч каскада. В оконечном каскаде на составных транзисторах в качестве расчетной величины U_{BX m OK K}  следует принимать большее из напряжений U_{BX m T2}   или U_{BX m T3}  .

Величины сопротивлений R_ПОС , R_Б∑ , R_Э  находятся делением соответствующих падений напряжения на ток I_KO. В случае применения для температурной стабилизации терморезистора найденное сопротивление R_Б∑ служит для определения составляющих его сопротивлений R_T  и  R_ш.

Так как по переменному току резистор R_ПОС включен параллельно сопротивлению нагрузки, необходимо, чтобы удовлетворялось неравенство R_ПОС  ≥ 20R_H.

Распределение падений напряжения для варианта схемы, изображенной на рис.28 б, отличается от рассмотренного выше тем, что ввиду отсутствия фильтра   U_{R ПОС} = 0, а напряжение питания предоконечного каскада равно E₀ ± U_H , где U_H мгновенное значение напряжения на сопротивлении нагрузки усилителя. Поэтому в предположении независимости  тока I_KO от напряжения U_KЭ

.                          (3.8)

Отсюда, приравнивая напряжение U_{KЭ МИН} к необходимой величине напряжения U_ОСТ, отсекающего искривленные участки выходных статических характеристик транзистора, получаем, что исходное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора

 .                                      

Если при увеличении напряжения между коллектором и эмиттером транзистора от U_{K ЭО} до U_{K ЭО} + U_{K Э МИН} , как видно из выражения (3.8), ток возрастает в а раз, то требуемое исходное напряжение

.                       (3.9)

Так, если К_{U ОК К} , а=1,1, U_Km = 5 B , U_OCT = 2 B, то U_{K ЭО} = 3,7 В, что значительно меньше величины этого напряжения, необходимой при использовании схемы, изображенной на рис.3.28 а, для которой U_{K ЭО} = U_OCT + U_Km = 2+5 = 7. Поэтому в рассматриваемом случае падение напряжения U_RЭ = U_{K R Э} – U_{R ЭО} может быть допущено большим, чем для схемы, представленной на рис 7 а, следовательно, можно получить меньшую  величину S_{I K}, т. е. осуществить более высокую степень стабилизации исходного режима транзистора.

На рис.3.30 приведена диаграмма, иллюстрирующая режим работы выходной цепи предоконечного каскада для схемы, изображенной на рис.3.28 а. Прямая CD представляет собой выходную динамическую характеристику этого каскада по постоянному току, угол наклона которой по отношению к отрицательному направлению оси абсцисс определяется сопротивлением

R₀ = R_ПОС + R_K + R_б∑ + R_Э. При этом исходный коллекторный ток I_KO обусловливается выбранным напряжением U_{K ЭО}.