Дослідження діапазонного резонансного підсилювача, страница 3

          2. Дослідити залежність  для таких ввімкнень:

          а) трансформаторного при “скороченому” колі;

          б) трансформаторного при “проміжному” колі;

          в) трансформаторного при “подовженому” колі.

          3. Дослідити вплив параметрів підсилювального елемента на налагодження резонансного контуру, для чого зняти і побудувати залежність резонансної частоти контуру від кута повороту змінної ємності при безпосередньому і автотрансформаторному ввімкненні контуру.

          4. Визначити коефіцієнт нерівномірності  та коефіцієнт перекриття  для умов п.1 і п.2.

          5. Дослідити залежність смуги пропускання (на заданому викладачем рівні М) і вибірності підсилювача (при заданому викладачем розстроюванні ) від частоти настроювання за умов п.1.

          6. Дослідити вплив режимів “скорочений” і “подовжений” на вибірність по дзеркальному каналу при , заданій викладачем.

Досліджувальна та вимірювальна апаратура

1. Лабораторний стенд.

2. Регульоване лабораторне джерело живлення 0…30 В.

3. Генератор стандартних сигналів Г4-42 (Г4-18, Г4-102).

4. Мілівольтметр В3-38 (В3-39).

5. Осцилограф С1-67 (С1-72, С1-73).

Короткі методичні вказівки до розрахунків

Для розрахунку частоти  рекомендується зобразити еквівалентну схему колекторного кола при трансформаторному зв’язку з скороченим, подовженим і проміжним вихідними колами ПЕ та використати вираз (1.5).

При визначенні можливості повного ввімкнення контуру доцільно скористатись виразом (1.4) .

Для розрахунку  необхідно скористатися виразами (1.1) – (1.3). При цьому необхідно мати на увазі, що максимальній частоті піддіапазону відповідає мінімальна ємність , а мінімальній – максимальна. Додатково необхідно визначити значення  каскодної схеми СВ–СБ. Для цього  можна скористатися матрицею провідностей каскодної схеми.

,                               (1.7)

де , позначки  та  відповідають транзисторам  та , а позначки 1, 2, 3 – відповідно електродам транзистора: база, колектор, емітер або затвор, стік, витік.

Тоді результуюча провідність прямої передачі

,                                     (1.8)

де  – відповідно однократне і двократне алгебраїчні доповнення, отримані із визначника матриці (1.7) шляхом викреслення відповідних рядків та стовпців.

Вихідна провідність, необхідна для виконання розрахунку по п.3 домашнього завдання, може бути визначена із співвідношення

.

Після підстановки алгебраїчних доповнень і спрощення отримуємо

.                                      (1.9)

Але оскільки транзистор  в каскодній комірці працює в режимі, близькому до “холостого ходу” на виході, то в обчисленні  за (1.9) немає необхідності, оскільки у довідниках звичайно наводять саме цю провідність (низькочастотне значення), тобто.

.

В даному випадку , тому високочастотне значення активної складової цієї провідності може бути визначено із виразу

,

де – максимальна робоча частота підсилювача;

– стала часу колекторного кола транзистора;

– низькочастотне значення крутості;

– гранична частота коефіцієнта передачі базового струму.

Провідності транзистора , які потрібні для визначення  за (1.8), є відповідними провідностями в схемі зі спільною базою

                та                .

Для розрахунку з довідників не треба брати кращі значення  і . Ця ж вимога поширюється на вибір значень  і  для . Оскільки для обох транзисторів виконується умова , при відшуканні  та можна використовувати низькочастотні значення провідностей.

При виконанні розрахунків буде корисним використання електричної схеми підсилювальної комірки СВ–СБ за змінним струмом з нанесенням нумерації електродів відповідно схемі за постійним струмом.

Оформлення звіту

Звіт оформити у відповідності з вимогами, наведеними у ч. 1.

Контрольні запитання, задачі для проблемних та ігрових

ситуацій

1. Чому в якості навантаження резонансного підсилювача використовують паралельний коливальний контур, а не послідовний?

2. Як досягається вирівнювання загального коефіцієнта підсилення в підсилювачі з декількома піддіапазонами? Привести можливі рішення і обґрунтувати оптимальний варіант.