Дослідження діапазонного резонансного підсилювача, страница 14

У свою чергу, відношення цих напруг визначає відношення струмів  та . У нашому випадку можна вважати, що струм  і досить точ­но відображає будь-які його зміни, тобто має місце „дзер­кало струмів”. У той же час мож­на бачити, що в разі зміни за рахунок зміни резистора виникає можливість змінювати струм , який у свою чергу задає режими транзисторів ДК і зумовлює підсилення ДК.

Опис лабораторної установки

Лабораторний макет (рис.5.5) являє собою ДК, виконаний на двох  транзисторах  і , в емітерне коло яких ввімкнено генератор стабільного струму на транзисторах  та . У макеті використані транзисто­ри КТЗІ5Б.

Для зміни напруги на базах VT1 та VT2, струму ГСС, використовуються змінні резистори R6, R4 та R9. Вимикачі S1 та S2, гнізда KT5 KT8 дозволяють під’єднати амперметри, необхідні для дослідження струмів ГСС. Вимикач S3 служить для ввімкнення напруги живлення. Макет дозволяє прикласти сигнал у відповідну точку схеми, дослідити його, а також реалізувати певне ввімкнення схеми.

Рисунок 5.5 – Лабораторний макет ()

Домашнє завдання

1.  Вивчити теоретичні положення та лекційний матеріал з даної теми.

2.  Ознайомитись зі схемою макета.

          3. Ознайомитись з приладами й обладнанням, необхідними для проведення досліджень.

4. Розробити методику дослідження основних параметрів ДК, тоб­то коефіцієнтів підсилення.

5. Визначити параметри транзистора КТЗІ5Б.

6. Розрахувати коефіцієнти підсилення для плечового та диференціального ввімкнення.

7. Розрахувати вхідний опір для симетричної та несиметричної схем ввімкнення.

8. При ;  визначити статичний та дина­мічний опори для транзистора КТЗІ5Б.

Програма експериментальних досліджень

1. Під’єднати макет до джерела живлення.

2. Зняти карту напруг схеми, що відповідає стану балансу ДК при середньому (з можливих) струмі ГСС.

3. Визначити плечовий та диференціальний коефіцієнти підсилен­ня та їх зв'язок.

4. Вивчити вплив струму ГСС на плечовий та диференціальний коефіцієнти підсилення та їх зв'язок.

5. Визначити коефіцієнт підсилення синфазного сигналу та кое­фіцієнт придушення синфазної напруги, визначити . Дослідити вплив струму ГСС на ці параметри.

6. Дослідити схему амплітудного обмежувача на основі ДК, дослі­дити його амплітудну характеристику, визначити порогову напругу та напругу обмеження.

7. Вивчити вплив струму ГСС на основні показники амплітудного обмежувача.

8. Дослідити залежність струмів ГСС у керуючому та керованому колах.

9. Порівняти розрахункові та експериментальні результати.

Досліджувальна і вимірювальна апаратура

1. Лабораторний стенд.

2. Лабораторне джерело живлення.

3. Генератор сигналів низькочастотний ГЗ-І02,

4. Вольтметр універсальний В7-2ІА.

5. Мілівольтметр В3-38 або В3-39.

6. Осцилограф СІ-67 або СІ-86.

Короткі методичні вказівки до розрахунків

При визначенні вхідного опору у випадку несиметричного входу він дорівнює .

Короткі методичні вказівки до вимірювань та

опрацювання результатів

Балансування схеми слід проводити без сигналу ВЧ, тобто гене­ратор сигналу повинен бути вимкненим. На колекторах VT1 та VT2 слід встановити напругу, яка приблизно дорівнює половині напруги жив­лення.

Визначення коефіцієнтів підсилення слід проводити, фіксуючи зміни постійних напруг у відповідних точках схеми при заданому розбалансі схеми. При цьому напруга розбалансу на входах схеми не повин­на перевищувати 0,02 – 0,03 B.

Досліджуючи вплив струму ГСС, при його зміні необхідно знов провести балансування схеми.

Вивчаючи схему амплітудного обмежувача, треба дослідити лінійну ділянку його амплітудної характеристики, для цього слід подавати на вхід мінімальну напругу 1...2 мВ на частоті 1 кГц. Для визначення кое­фіцієнта підсилення синфазного сигналу необхідно працювати із вхід­ним сигналом 0,1...0,15 В. Значення  може бути використано для визначення , тобто опору ГСС змінному струму.

Оформлення звіту

Звіт оформляють відповідно до вимог, викладених у частині 1.

Контрольні запитання

І. Які засоби застосовуються для підвищення симетрії схеми ДК?

2. Як змінюється вхідний опір схеми ДК при ввімкненні з симет­ричним та несиметричним входами?