Физические основы микроэлектроники, конспект лекций, страница 20


         Полный дрейфовый ток:

         Y = ni*q*(Vдn+Vдр)*S = 2.5*1016*1.6*10-19*(48+10)*3*10-6 = 0.696 (мкА)

         Для материала n-типа проводимость определяется выражением:

                                                  sn = q*(p*Up+n*Un)  ,

где n,p – концентрации электронов и дырок .

         Плотность электронного тока в материале n-типа имеет вид:

                                              jn = n*q*Un*E + p*q*Up*E .


         Однако, поскольку n*p=ni2 , а n»Nд имеет Nд*p»ni2 . Поэтому p»ni2/Nд , и

следовательно

         Поскольку  в  материале   n-типа  преобладают  электроны,  то  получаем приближённое соотношение

                                                          sn » q*Nд*Un .

         Аналогично, для материала p-типа можно получить:

                                                          sp » q*Nа*Up .

         Пример 6. Вычисление проводимости примесного полупроводника.

         Дан образец легированного кремния p-типа длиной 5 мм, шириной 2 мм

и толщиной 1 мм.

         Вычислить концентрацию примеси в образце, если электрическое сопротивление образца 100 Ом, подвижность электронов и дырок равна 0.12 и 0.025м2/В*с), а концентрация собственных носителей равна 2.5*1016 м-3. Определить также отношение электронной проводимости к дырочной.

         Решение:


         Используя основную формулу для удельного сопротивления, получаем:

Удельное сопротивление определяется также выражением:


         Подставляем в это выражение числовые данные из условия задачи:

p*0.025+n*0.12 = 1.56*1020 .

         Используя закон действующих масс p*n=ni2, находим n=6.25*1032/p и подставляем в соотношение, полученное ранее:

0.025*p2+0.12*6.25*1032-1.56*1020*p=0 .

Решение уравнения даёт результат p=6.24*1021 м-3.


Отношение электронной проводимости к дырочной получим из соотношения:

Удельное сопротивление определяется также выражением :

 


Подставляем в это выражение числовые данные из условия задачи  :