1. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. - М.: Радио и связь, 1991. - 288с.
2. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. - М.: Радио и связь, 1985. - 264с.
3. Броудай И., Меррей дж. Физические основы микротехнологии:
Пер. с англ./ Под ред. А.В.Шальнова. - М.: Мир, 1985.- 492с.
4. Бузанева Е.В. Микро-структуры интегральной электроники. -
М.: Радио и связь, 1990. - 304с.
5. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА. - М.: Сов.радио, 1979. - 350c.
6. Наумов Ю.Е. Физические основы элементов полупроводниковых микросхем. М.: МАИ, 1984. - 77с.
7. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. - М.:
Высшая школа, 1977. - 448с.
8. Павлов Л.Т. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987. - 240с.
9. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. - М.:
Высшая школа, 1987. - 480c.
10. Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников. - Воронеж: Воронежский университет, 1989. - 220c.
11. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Сов.радио, 1980. - 423с.
12. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. - М.: Высшая школа, 1984. - 352с.
I3. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987. - 464с.
14. Чистов Ю.С., Сыноров В.Ф. Физика МДП - структур. - Воронеж:
Воронежский университет, 1989. - 224с.
15. Шалимова К.В. Физика полупроводников. - М.: Энергоатомиздат,
1985. - 390c.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение 3
1. Классификация кристаллов по типам связи и структуре 3
2. Основные понятия зонной теории и статистика
носителей
заряда в полупроводниках
4
2.1. Обобществление электронов в кристалле
6
2.2.Заполнение зон электронами и деление тел на металлы
диэлектрики и полупроводники
7
2.3. Собственные и примесные полупроводники
8
2.4. Статистика носителей заряда, уровень Ферми 11
2.4.1. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике 14
2.4.2. Положение уровня Ферми и концентрация носителей заряда
в собственном полупроводнике 15
2.4.3. Статистика электронов в примесных полупроводниках 15
2.4.4. Статистика носителей заряда в вырожденных
полупроводниках
и металлах 22
2.5. Задачи к разделу 2 24
3. Кинетические явления и механизмы проводимости
в полупроводниках и металлах 25
3.1. Подвижность носителей заряда 25
3.2. Электропроводностъ металлов
3.3. Электропроводность полупроводников 30
3.4. Эффект сильного поля 37
3.5. Неравновесные носители заряда в полупроводниках 39
3.6. Задачи к разделу З 44
4. Контактные и поверхностные явления в полупроводниковых
структурах 45
4.1. Контакт полупроводник — полупроводник 45
4.2. Контакт металла с полупроводником 54
4.3. Физические принципы работы биполярного транзистора
58
4.4. Термоэлектронная эмиссия и эффект Шоттки 64
4.5. Поверхностные явления в полупроводниках 67
4.6. Эффект поля, физические принципы работы МДП -транзистора 72
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.