2.4.3.
СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ В ПРИМЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
В области низких температур, когда средняя
энергия теплоколебаний решетки кТ значительно меньше ширины запрещенной
зоны ξg, в примесных невырожденных полупроводниках
происходит возбуждение практически лишь примесных носителей заряда: электронов
в электронных полупроводниках и дырок в дырочных полупроводниках.
Положение уровня Ферми в этой области температур
определяется соотношением для электронного полупроводника:
. (2.24)
где NД – концентрация донорной
примеси, и соотношением:
(2.25)
для дырочного полупроводника, где Na
– концентрация акцепторной примеси. Графики зависимости ξF(T), отвечающие
этим функциям, приведены на рис. 2.4 а, б [6].
