Рисунок 3- Схема установки для метода импульсного лазерного нанесения алмазоподобных пленок
В другой работе [7] пленки осаждались при остаточном давлении 10-2 Па на подложки из кварца, кремния, стали. Также использовался Nb-лазер с модуляцией добротности по длине волны 1,06 мкм, tu=10-7с, плотностью мощности на мишени 105…106 Вт/см2. Было отмечено, что плазма содержит, кроме прочего смесь углеродных кластеров с разными типами химических связей.
В этих условиях были получены в основном аморфные пленки, на электронограммах которых наблюдалось два диффузионных кольца 2,08 и 1,17 А. В пленках присутствовали частицы до нескольких сот анкстрем со структурой алмаза, турбостратного графита и различных карбинов.
Было указано, что при импульсном осаждении в этих режимах реализу-ются скорости осаждения 108нм/с, а структура пленок изменяется в зависимости от мощности импульса на мишени, а также от материала мишени . При мощности выше 5 108Вт/см2 и подходящем материале мишени формируются твердые плотные пленки. Несколько типов углеродных материалов было использовано в качестве материала мишени :
1-параметрический графит с высоким качеством структуры и текстуры ;
2-микрокристаллический графит с несовершенной структурой и двумерной структурой ;
3-электродный графит со смесью гексагональных и ромбических микрокристаллов ;
4-частично аморфный материал высокой пористостью и низкой плотностью.
Полученные алмазоподобные пленки отличаются и от графита и от алма- за. Графитовые дамены в аморфной углеродной структуре имеют размер <5 нм. Было установлено, что наиболее твердые пленки содержат более 15% sp атомов. Вместе с тем, экспериментального подтверждения такой структуры не приводи-тся.
1.1.5 Лазерно-дуговое нанесение алмазоподобных пленок
Большой интерес представляют работы Х.И.Шайбе [8], в которых был раз-работан лазерно – дуговой метод получения углеродных пленок .
На рисунке 4 представлена схема такого источника. Графитовая мишень использовалась как катод, движущийся в X-Y направлениях. Плоский анод разме-щался на 3-5 мм от катода, а подложки на расстоянии 50мм от катода. Использоль-зовался лазер с длинной волны 1,06мкм, энергией импульса 6 мДж, tu=6-37 мкс. Луч фокусировался в пятно диаметром 150 мкм под углом 45 к мишени. Напряжение между катодом и анодом составляло 400В, при этом ток разряда 1кА. Для осаждения слоя в 1нм требовалось 150 импульсов. По реализации этот метод близок к катодно-дуговому.
Были получены пленки 50-250 нм Si(100).пленки плотными и гладкими, но с ячеистой морфологией за счет участков с разной плотностью. На электроног-раммах наблюдались позиции максимумов, соответствующих условным межплос-костным расстояниям d=0.208 нм и 0,123 нм, коэффициент преломления пленок находился в пределах 2,1-2,6. Более подробного описания исследования структурных особенностей полученных алмазоподобных пленок и влияния на них условий осаждения, до настоящего времени описано не было.
Установлено, исходя из оптических характеристик, что низкие темпе-ратуры осаждения ведут к увеличению алмазоподобных свойств пленок, тогда как повышение температуры к более графитоподобным. Не было сделано предположе-ния о соотношении sp3/sp2атомов в пленках и зависимости структуры и фазового состава от условий осаждения. Также не рассмотрена корреляция между структурой и механическими свойствами пленок.
1-мишень
2-анод
3-источник питания
4-луч лазера ;
5-подложка .
Рисунок 4- Схема установки для получения алмазных пленок импульсным лазерно-дуговым методом
1.1.6 Осаждение пленок из импульсных потоков плазмы катодно-дугового разряда в вакууме
Метод основывается на создании импульсного катодно-дугового разряда в вакууме в ускорителях плазмы с эродирующим катодом из графита, формировании направленного к подложке плазмы и конденсации ее на подложку.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.