Метод изготовления |
Минимальные размеры, мм |
|||
Ширина МПЛ |
Расстояние между МПЛ |
Предельные отклонения размеров МПЛ |
Предельные отклонения зазоров между МПЛ |
|
Масочный |
0,1 |
0,2 |
± 0,03 |
± 0,03 |
Фотолитография |
0,05 |
0,1 |
±0,015 |
± 0,015 |
Минимально допустимая ширина токопроводов пленочной индуктивности должна быть 0,06 мм, минимальная ширина зазоров между токопроводами должно быть 0,04 мм. На рис. 5.10 показана конфигурация пленочных индуктивностей.
Минимально допустимые размеры пленочных резисторов и минимально допустимая ширина зазоров между резистивными участками указаны в таблице 5.2. Основные конфигурации пленочных резисторов приведены на рис.5.11.
Таблица 5.2
Минимально допустимые размеры пленочных резисторов.
Метод изготовления |
Минимальные размеры, мм |
|||
Ширина резистора |
Длина Резистора |
Величина зазора между резисторами, мм |
||
в одном слое |
в разных слоях |
|||
Масочный |
8,20 |
0,30 |
0,20 |
0,3 |
Фотолитография |
0,05 |
0,05 |
0,08 |
0,2 |
Точность изготовления размеров в зависимости от способа изготовления указана в таблице 5.3.
Точность изготовления конденсаторов должна быть 15% от номинала.
Нижняя обкладка пленочных конденсаторов (рис.5.12) должна выступать за края верхних обкладок не менее чем на 0,2 мм. Контур диэлектрика (сводная окисная пленка) должна совпадать по размерам с нижней алюминиевой обкладкой.
Нижняя обкладка пленочных конденсаторов (рис.5.12.) должна выступать за края верхней обкладки, а диэлектрик за края нижней не менее чем на 0,2 мм.
Диэлектрик пленочных конденсаторов (рис.5.13) должен выступать за края площадки перекрытия обкладок не менее чем на 0,2 мм.
Места соединений контактных участков обкладок конденсаторов с другими элементами необходимо располагать на расстоянии не менее 0,2 мм от края диэлектрика.
Для совмещения пленочных элементов, расположенных в разных слоях, должна быть предусмотрена их перекрытие не менее чем на 0,2 мм.
На каждой из сторон платы может быть расположен один резистивный слой для изготовления пленочных резисторов.
В технически обоснованных случаях допускается применение двух резистивных слоев с различными удельными электрическими сопротивлениями квадрата резистивной пленки.
Таблица 5.3
Точность изготовления тонкопленочных резисторов.
Метод изготовления |
Точность изготовления |
Масочный |
± 52 |
Фотолитография |
± 10 % |
С индивидуальной доводкой номинала резисторов |
± 1 % |
5.5. Оценка качества разработанной топологии.
Разработанная топология должна обеспечивать соответствие электрической принципиальной схеме (проверяется методом синтеза электрической схемы по топологии, то есть путем перехода от послойных чертежей топологии к принципиальной электрической схеме устройства), удовлетворять конструктивным и технологическим требованиям, выбранным методам контроля, простотой реализации.
При оценке качества топологии выполняются расчеты, связанные с определением паразитных связей в модуле и с оценкой его тепловых режимов [17].
5.6. Топологические чертежи.
Топологический чертеж является основным документом, по которому можно оценить возможный характер и величину паразитных связей в модуле СВЧ, а также рассчитать его тепловые режимы.
Топологический чертеж гибридных интегральных модулей СВЧ выполняется в масштабах 5:1, 10:1, 20:1 и в других масштабах увеличения, кратных десяти.
Как правило, топологические чертежи выполняются на нескольких листах: на первом изображается подложка со всеми нанесенными на нее слоями (элементы соединений, контактные площадки и т.п.), на последующих - изображение слоев (отдельный чертеж на каждый слой). По топологическим чертежам изготовляют маски или фотошаблоны для получения соответствующих пленочных элементов. На первом листе указывают позиционные обозначения изображенных элементов в соответствии с электрической схемой и номера контактных площадок. Начало нумерации периферийных контактных площадок предпочтительно начинать с левого нижнего угла в направлении против часовой стрелки.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.