Введение в микропроцессоры. Конспект лекций по курсу "Микропроцессорные устройства", страница 20

DCR M - уменьшение содержимого ячейки памяти на единицу, адрес которой находится в регистровой паре HL, на единицу, [(HL)]:= [(HL)] - 1, 3:10:1

2.8.11. Команды логических операций и циклических сдвигов

а) регистровый метод адресации

RLC - циклический сдвиг содержимого аккумулятора влево:

 

CY            D7      ...       D0            , 1:4:1;

RRC - циклический сдвиг содержимого аккумулятора вправо:

 

CY            D7      ...       D0            , 1:4:1;

RАL - циклический сдвиг содержимого аккумулятора влево через бит переноса CY:

CY            D7      ...       D0            , 1:4:1;

RАR - циклический сдвиг содержимого аккумулятора вправо через бит переноса CY:

CY            D7      ...       D0            , 1:4:1;

RDEL - циклический сдвиг содержимого регистровой пары DE влево (отсутствует в системе команд МП 8080):

CY            D7         D             D0   D7          E           D0         , 3:10:1;

ARHL - арифметический сдвиг содержимого регистровой пары HL вправо, старший бит РОН Н при сдвиге распространяется вправо (отсутствует в системе команд МП 8080):

                  D7         H             D0   D7          L           D0         CY  , 2:7:1;

ANA RGS - побитное логическое умножение содержимого аккумулятора и содержимого RGS, результат сохраняется в аккумуляторе, (А):= (А) Ù (RGS), 1:4:1;

ORA RGS - побитное логическое сложение содержимого аккумулятора и содержимого RGS, результат сохраняется в аккумуляторе, (А):= (А) Ú (RGS) , 1:4:1;

ХRA RGS - побитное исключающее логическое сложение содержимого аккумулятора и содержимого RGS, результат сохраняется в аккумуляторе, (А):= (А) Å (RGS) , 1:4:1;

СМР RGS - выполнение вычитания (А) - (RGS) с установкой всех флажковых битов без сохранения результата вычитания. Если (А) = (RGS), то Z = 1; если (А) < (RGS), то CY = 1, 1:4:1

б) непосредственный метод адресации

ANI D8 - побитное логическое умножение содержимого аккумулятора и непосредственного операнда D8, результат сохраняется в аккумуляторе, (А):= (А) Ù D8, 2:7:2;

ORI D8 - побитное логическое сложение содержимого аккумулятора и непосредственного операнда D8, результат сохраняется в аккумуляторе, (А):= (А) Ú D8, 2:7:2;

ХRI D8 - побитное исключающее логическое сложение содержимого аккумулятора и непосредственного операнда D8, результат сохраняется в аккумуляторе, (А):= (А) Å D8, 2:7:2;

СРI D8 - выполнение вычитания (А) - D8 с установкой всех флажковых битов без сохранения результата вычитания. Если (А) = D8, то Z = 1; если (А) < D8, то CY = 1, 2:7:2

в) косвенный регистровый метод адресации

ANÀ М - побитное логическое умножение содержимого аккумулятора и содержимого ячейки памяти, адрес которой хранится в регистровой паре HL, результат сохраняется в аккумуляторе, (А):= (А) Ù [(HL)], 2:7:1;

ORA M - побитное логическое сложение содержимого аккумулятора и содержимого ячейки памяти, адрес которой хранится в регистровой паре HL, результат сохраняется в аккумуляторе, (А):= (А) Ú [(HL)] , 2:7:1;

ХRA M - побитное исключающее логическое сложение содержимого аккумулятора и содержимого ячейки памяти, адрес которой хранится в регистровой паре HL, результат сохраняется в аккумуляторе, (А):= (А) Å [(HL)] , 2:7:1;

СMР M - выполнение вычитания (А) - [(HL)] с установкой всех флажковых битов без сохранения результата вычитания. Если (А) = [(HL)], то Z = 1; если (А) < [(HL)], то CY = 1, 2:7:1

2.8.12. Специальные команды и команды управления

EI - разрешение прерываний, после выполнения этой команды IF = 1, 1:4:1;

DI - запрещение прерываний, после выполнения этой команды IF = 0, 1:4:1;

NOP - нет операций, 1:4:1;

STC - установка флажка CY, CY:= 1, 1:4:1;

CMC - инверсия флажка CY, CY:= NOT CY, 1:4:1;

CMA - инверсия аккумулятора, (A):= NOT (A) , 1:4:1;

DAA - двоично-десятичная коррекция аккумулятора после сложения, команда преобразует содержимое аккумулятора в двухразрядное двоично-десятичное число для чего выполняются следующие действия: если АС = 1 или значение младшего полубайта (нибла) больше 9-ти, то к аккумулятору прибавляется константа 6; если CY = 1 или значение старшего нибла аккумулятора больше 9-ти, то к аккумулятору прибавляется константа 60h, 1:4:1;