Загальна характеристика запам’ятовуючих пристроїв. Принципи побудови мікросхем статичних ОЗП. Нарощування інформаційної ємності запом'ятовуючих пристроїв. Регістрові оперативні запам’ятовуючі пристрої, страница 8

Алгоритмічні тести типу N^2/3представлені тестом “Running coloumn” (стовпець, що біжить), “Батерфляй”, “Зсуваєма діагональ” (shearing diagonal).

 АФТ, назви яких приведені вище перевіряють одночасно всі розряди модуля ОЗП і послідовно – мікросхеми ОЗП, що належать до кожного розряду.

Для контролю взаємодії розрядів здебільшого використовуються тести “Running 1 (0)” або “Попарний запис – зчитування”, тобто тести, які записують та зчитують в даний конкретний розряд модуля ОЗП інформацію, відмінну від інших розрядів.

Вважається, що одним тестом неможливо ефективно проконтролювати запам’ятовуючі пристрої. Тому необхідно використовквати сукупність різних типів тестів і робити висновок на підставі результатів контролю кожним із них.

При тестуванні динамічних ОЗП особливу увагу необхідно приділити контролю часу регенерації. Період регенерації визначається швидкістю розряду запам’ятовуючого конденсатора, що залежить від багатьох фактрів. Контроль часу регенерації виконується в такій послідовності: після запису в ЗП інформації подача тактових сигналів на мікросхему зупиняється і через час регенерації проводиться зчитування і порівняння з еталоном записаної інформації. Для вирішення таких задач використовуються різні типи АФТ.

6.9. Порівняльна характеристика технологій

виготовлення ІСЗП

Мікросхеми ОЗП виготовляються з використанням тих технологій, на базі яких виготовляються і цифрові мікросхеми. Технічні характеристики їх відповідно повторюють характеристики цифрових мікросхем. В таб.2 приведене приведена  порівняльна характеристика мікросхем ОЗП по двох головних параметрах

                                                                             Табл. 6.2

Технологія	Споживаєма потужність в режимі зчитування (мВт/біт)	Час виборки
ЕЗЛ	0.02  0.5	2.5  15
ТТЛ	0.05  0.1	35  100
ТТЛШ	0.05  0.1	15  40
І2Л	0.03  0.05	100  200
n - МОН	0.01  0.2	25  300
КМОН	0.005  0.02	25  200
Арсенід галію	0.1  0.2	1.7  4.5

З таблиці витікає, що сама висока швидкість виборки належить мікросхемам ЕЗЛ та мікросхемам на базі арсеніду галію. З ростом інформаційної ємності мікросхем виростає споживаєма потужність, яку необхідно відводити з мікросхеми у вигляді тепла. Ця проблема є головною при побудові мікросхем великої інформаційної ємності.

6.10.Регістрові ОЗП

Регістр як функціональний пристрій широко використовується в якості елемента пам’яті. Регістри є складовою частиною мікросхем різного призначення. Як окремі мікросхеми використовуються в мікропроцесорних комплектах в якості регістрів загального призначення, (РЗП), багаторежимних буферних регістрів (ББР), входять складовою частиною в порти та периферійні адаптери мікропроцесорних систем, буферів даних між швидким прцесором та повільними периферійними пристроями.

Регістрові запам’ятовуючі пристрої можуть бути побудовані як на регістрах з довільним, так і з послідовним доступом. Серед багатьох серій мікросхем, що можуть раелізувати регістрову пам’ять, розглянемо такі, які представляють типові напрямки побудови регістрових схем.

Мікросхема КР1802ІР1 є двоадресним ЗП ємністю 16  4 біт і призначена для створення зверхоперативних запам’ятовуючих систем, а також багатоадресних ОЗП. Основою регістра є матриця з 16 регістрів по 4 біта кожен, доступ до яких можливий як з адресного дешифратора DC_А, так і з DC_В при умові, що одночасно не поступають запити по одному адресу.