Загальна характеристика запам’ятовуючих пристроїв. Принципи побудови мікросхем статичних ОЗП. Нарощування інформаційної ємності запом'ятовуючих пристроїв. Регістрові оперативні запам’ятовуючі пристрої, страница 6

Заряди, що появляються на плаваючому затворі мзжуть зберігатись без пошкоджень до 10 років.

Для стирання інформацій транзистр опромінюють ультрафіолетовими променями, якіц створюють канали стоку зарядів з "плаваючого" затвору на підложку і в усі елементи пам'яті записується логічна 1.

Електрично програмуємі і електрично стираємі ПЗП не вимагають стирання інформації ультрафіолетовим опромінюванням. Вони будуються на МОН-транзисторах, в яких між затвором та напівпровідником розміщується двошаровий діелектрик, виконаний з нітріду кремнію і тонкого шару двоокису кремнію. Запис інформації в такий елемент полягає в тому, що при підключенні до затвору такого транзистора позитивної напруги, що перевищує критичне значення (біля 30 В), на межі окис кремнію – нітрід кремнію формується заряд, що знижує поріг включення транзистора.

Якщо подається негативна напруга такої ж величини, то протікає зворотній процес: віднолюється високий пороговий рівень напруги транзистора. В першому випадку між істоком та стоком транзистора формується канал, що еквівалентний логічній 1; в іншому-стан, відповідаючий логічному нулю.

Перевага цього типу ПЗП перед вище описаними в тому, що відпадає необхідність в джерелі ультрафіолетового опромінювання. Пониження напруг запису та відновлення стану елемента пам’яті  відкрили в останні роки широке використання  таких запам’ятовуючи пристроїв в мікропроцесорній техніці.

6.7.Нарощування інформаційної ємності запом'ятовуючих пристроїв.

Рис. 6. 14

Використовуються три шляхи підвищення інформаційної ємності модулів запам'ятовуючих пристроїв: підвищення розрядності слів; підвищення кількості слів; підвищення розрядності та кількості слів.

Підвищення кількості розрядів запам'ятовуючого пристрою забезпечується за рахунок об'єднання адресних та інформаційних входів мікросхем. Входи та виходи даних кожної мікросхеми являються відповідними входами та виходами запам'ятовуючого пристрою підвищенної розрядності. Рис.6.14 ілюструє таку організацію пам'яті на прикладі статичного ОЗП з однорозрядною організацією. Приведене паралельне з’єднання n мікросхем з організацією кожної 2_­­­^mx 1 приводить до організації присторю пам'яті

2_­­­^mx n біт.

Підвищення кількості слів в модулі ЗП здійснюється за рахунок об'єднання однойменних шин даних, адресних, та інформаційних. Нарощування кількості слів забезпечується за рахунок розширення адресного простору шляхом появи ниток старших розрядів, які створюються завдяки входам , що об'єднуються через дешефратор. Прикладом такого нарощування є об'єднання мікросхем з словарною організацією пам'яті (рис.6.15), де адресний простір з m разрядами об'єднується паралельно, як і входи-виходи шини даних DIO. Об'єднуються також паралельні інформаційні входи  і . Входи підключаються до виходу дишефратора DC на К виходів, що відповідає кількості об'єднануємих мікросхем. Вибір мікросхеми забезпечується створенням нитками старших розрядів А_m+1...A_m+k адесного простору, кількість яких

j=lnK/ln2.

Організація пам'яті такого ЗП

2^m+j x n біт.

Організація інформаційної ємності за рахунок одночасного підвищення кількості слів та їх розрядності забезпечується поєднанням описаних вище прийомів і приводить до створення матриці мікросхем.

6. 8 Контроль ОЗП

Працездатність ОЗП визначається шляхом контролю статичних, дінамічних параметрів та функціювання з допомогою алгоритмічних тестів (АТ). АТ дають можливість визначити також наявність пошкоджень та місце їх знаходження.