Загальна характеристика запам’ятовуючих пристроїв. Принципи побудови мікросхем статичних ОЗП. Нарощування інформаційної ємності запом'ятовуючих пристроїв. Регістрові оперативні запам’ятовуючі пристрої, страница 3

                                         t_затt_{вс вм а}+t_вм   

Сигнал CS (низький рівень -t_вм) тільки умовно може розглядатись як час вибору мікросхеми. Фактично це час запису інформації в елемент пам’яті, тобто самий відповідальний інтервал часу. Тому його поява можлива тільки після завершення всіх перехідних процесів, що мали місце внаслідок дії попередніх сигналів. Відповідна послідовність сигналів повинна витримуватись і при зчитуванні інформації з мікросхем ОЗП.

Часові діаграми запису - зчитування інформації, що приведені на рис.6.4 характеризують роботу синхроних мікросхем, які в якості сигналу синхронізації використовують сигнал CS. Але на практиці достатньо велика кількість мікросхем пам’яті являються асинхроними. Незважаючи на це, часові співвідношення в плані запису та вибору даних з ОЗП залишаються незмінними – інтервал часу між дешифрацією мікросхеми та записом - зчитуванням даних повинен бути достатнім для встановлення перехідних процесів.

6.3.ОЗП з багаторозрядною організацією.

Такі ОЗП знаходять достатньо широке використання, так як при однакових розмірах адресного простору дозволяють розширити інформаційну ємність пристроїв пам’яті. Як приклад такої організації на рис.6.5 приводиться структурна схема ОЗП з інформаційною ємністю 2К*8 біт та 11 розрядною адресною шиною. Накопичувач елементів пам’яті може бути розділеним на 16 секцій ємністю 128*8 елементів кожне.

Чотири молодших розряди адресного простору використовуються для знаходженя відповідної секції, а сім старших розрядів після дешифрації знаходять рядок в секції, в яку записується або з якої зчитується необхідна інформація через підсилювачі та пристрій вводу – виводу на шини DI0..DI7.

          Керування ПВВ та підсилювачами здійснюється з допомогою сигналів  CS, W/R, OE. В режимі запису інформація паралельним восьмирозрядним кодом через ПВВ та підсилювач запису – зчитування подається в вибрані елементи пам’яті. При зчитувані інформація з вибраних елементів пам’яті подається на виходи через підсилювачі на ПВВ. Сигнал OE=1  (open enable) переводить виходи мікросхеми в високоомний стан в результаті якого інформація на виході відсутня.

На рис.6.6 призводяться умовні графічні зображення статичних мікросхем ОЗП з однорозрядною (рис. 6, а), та богаторозрядною (рис.6,б) організацією пам’яті.

                                 Рис.6.5.

Назви виводів, за винятком виводів для джерела живлення, U_ж відомі. Наявність в мікросхемі виходу на три стани вказується значком в правому верхньому куті 

 

-  вихід на три стани

-  вихід з відкритим емітером

-  вихід з відкритим колектором(стоком)

В останніх двох випадках виходи можуть приймати два значення – функці- ональне та високоомне. При використанні таких мікросхем їх виходи підключаються до резистивного навантаження.

6.4.ОЗП динамічного типу(ДОЗП).

          Динамічні ОЗП будуються на базі динамічних елементів пам’яті, інформація в яких зберігається в виді розряду запам’ятовуючого конден- сатора (рис.6.7), запис-зчитування інформації з якого виконується за допомогою MOH транзистора VT через адресні (АШ) тарозрядні (РШ) шини.При подачі напруги на адресну шину транзистор VT відкривається і в залежності від заряду на С_з зімнює потенціал РШ.

В зв’зку з тим, що ємність С₃ мала порівняно з ємністю РШ

(С₃=0,1-+0,2 пф ), то потенціал шини змінюється мало. Для регістрації такої зміни потенціалу РШ використовується високочутливий диференціальний підсилювач тригерного типу, що підключається до РШ. Робота такого підсилювача можлива при наявності опорної напруги U₀ з якою підсилювач порівнює потенціал РШ і відповідно, на своєму виході дає значення логічного “0”, або “1” необхідної амплітуди.

        Для забезпечення збереження інформації в ОЗП необхідна періодична